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[主观题]
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,分别画出uDS=3V、6V、9V时的转移特性曲线。
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,分别画出uDS=3V、6V、9V时的转移特性曲线。
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已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,分别画出uDS=3V、6V、9V时的转移特性曲线。
一个场效应管的转移特性曲线如图所示,试问:
(1)它是N沟道还是P沟道的FET?
(2)它的夹断电压uP和饱和漏极电流IDSS各是多少?
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。
A.P沟道增强型MOS型
B.P沟道耗尽型MOS型
C.N沟道增强型MOS型
D.N沟道耗尽型MOS型
E.N沟道结型
F.P沟道结型
图4.5.17所示为一个场效应管混频器。场效应管的转移特性为
式中,ID为漏极电流;IDSS是栅压为零时的漏极电流;VP为夹断电压;VGS为栅源 电压。 设直流偏置电压为VGS0;信号电压为vs=Vssinωst;本振电压v0=V0sinω0t。 试证明: 1)此混频器能完成混频作用;
已知FET的特性曲线如下图所示,试判断它是哪一类场效应管?开启电压VTH或夹断电压VP约为多少?饱和电流IDSS约为多少?
已知某机器在一个稳定运转循环中的等效驱动力矩Mva和等效阻力矩Mvc曲线如图所示。Mva和Mvc两曲线所围成的各块面积为:F1=250N·m,F2=150N·m,F4=200N·m,机器等效构件转速n=600转/分。求①F3;②当不均匀系数δ=0.05时,应装在等效构件上的飞轮转动惯量JF。