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[判断题]
由于双电层的厚度很小(一般为1埃到1nm之间),因此即使双电层两侧电压的改变值很小,造成的双电层区内的电场变化也是巨大的,从而极大影响双电层区内电化学反应的动力学。()
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A.0.1~0.3mm
B.0.1~0.2mm
C.0.2~0.3mm
波长1300nm的InGaAsP行波半导体光放大器(SOA)具有以下参数:
符号 | 参 数 | 值 |
W | 有源区宽度 | 3μm |
d | 有源区厚度 | 0.3μm |
l | 放大器长度 | 500μm |
Γm | 光约束因子 | 0.3 |
τ | 载流子寿命 | 1nm |
Ag | 受激辐射因子 | 1.72×10-12m2/s |
v | 有源区中光速 | 0.86×108m/S |
Str | 透明载流子寿命 | 1×1024m-3 |
求偏置电流为100mA及200mA时,SOA的小信号增益系数。和小信号增益(以dB表示)。
A.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构
B.两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构
C.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构
D.双异质结形成的结构,如AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs结构
A.滤框的厚度,滤框的厚度
B.滤框厚度的1/2,滤框的厚度
C.滤框厚度的2倍,滤框的厚度
D.滤框的厚度,滤框厚度的1/2
某工业炉壁由下列三层依次组成,耐火砖的热导率λ1=1.05W/(m·℃),厚度为0.23m;绝热层热导率λ2=0.151W/(m·℃),红砖热导率λ3=0.93W/(m·℃),厚度为0.25m。已知耐火砖内侧温度为1000℃,红砖外侧温度为130℃,绝热砖的耐热温度为940℃。试求