题目内容
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[单选题]
在异质结的界面处引入界面态的主要原因是？（)
A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
D.半导体材料的表面吸附
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A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
D.半导体材料的表面吸附
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A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
D.材料表面的化学吸附
E.材料表面的原子重构
A.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场为量子阱
B.量子阱中的电子在垂直异质结界面方向上的运动受限，而在与异质结界面平行的二维平面内的运动是自由的
C.把量子阱中的电子称为二维电子气(2DEG)
D.n+—AlGaAs与本征GaAs构成异质结时，在异质结界面处GaAs一侧形成了一个三角形的势阱
A.金属和半导体之间存在功函数差
B.绝缘层中存在电荷
C.半导体与绝缘层的界面处存在表面态
D.外加偏压
(1) 气相传质总系数Ky？
(2) 此吸收过程是液膜控制还是气膜控制？为什么？
(3) 该位置上气液界面处的气液两相浓度各为多少？
A.在两种材料的交界面处，能带弯曲不连续，形成“凹口”和“尖峰”
B.能带在交界面处，有一个突变(导带阶和价带阶)
C.能带的变化是连续的
D.能带的变化与两种材料的费米能级无关
