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[主观题]

电路如图题5.5.3所示,设β=100,Rsi=2千欧,试求:(1)Q点;(2)输入电阻Ri;(3)电压增益Aes

电路如图题5.5.3所示,设β=100,Rsi=2千欧,试求:(1)Q点;(2)输入电阻Ri;(3)电压增益Aes

1=v01/vN和Aes2=v02/vN;(4)输出电阻R01和R02

电路如图题5.5.3所示,设β=100,Rsi=2千欧,试求:(1)Q点;(2)输入电阻Ri;(3)

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第1题
放大电路如图题4.3.5(a)所示,已知VCC=12V,BJT的β=20。若要求Av≥100,ICQ=1mA,试确定Rb、Rc的值,并计算VCEQ。设R

放大电路如图题4.3.5(a)所示,已知VCC=12V,BJT的β=20。若要求Av≥100,ICQ=1mA,试确定Rb、Rc的值,并计算VCEQ。设RL=∞。

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第2题
设PNP型硅BJT的电路如图题5.3.6所示。问vB在什么变化范围内,使T工作在放大区?令β=100。

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第3题
微分电路如图题2.4.13a所示,输入电压v1如图题2.4.13b所示,设电路R=10千欧,C=100μuF,运放
是理想的,试画出输出电压v0的波形,并标出v0的幅值。

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第4题
电路如图题6.1.2所示,设T1、T2的特性完全相同,且,。求电流源的输出电阻。

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第5题
电路如图题5.2.6所示,设场效应管的参数为gm1=0.8mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID=0.2mA。试求该

电路如图题5.2.6所示,设场效应管的参数为gm1=0.8mS,λ12=0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID=0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。

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第6题
电路如图题2.4.9所示,设运放是理想的,试求vo1、vo2及v0的值。

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第7题
设输出特性如图题5.3.1所示的BJT接入图题5.3.2所示的电路,图中VCC=15V,Re=1.5千欧,i
n=20μA,求该器件的Q点。

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第8题
FET恒流源电路如图题5.3.9所示。设已知管子的参数gm、rds,且μ=gmrds。试证明AB两端的小信号等效电阻为rAB=R+(1

FET恒流源电路如图题5.3.9所示。设已知管子的参数gm、rds,且μ=gmrds。试证明AB两端的小信号等效电阻为rAB=R+(1+gmR)rd

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第9题
电路如图题4.4.2(主教材图4.4.8)所示。 设电流源电流I=0.5mA,VDD=VSS=5V,Rd=9千欧,
电路如图题4.4.2(主教材图4.4.8)所示。 设电流源电流I=0.5mA,VDD=VSS=5V,Rd=9千欧,

Cs很大,对信号可视为短路。场效应管的VTS=0.8V,KN=1mA/V,输出电阻rds=∞。试求电路的小信号电压增益AF

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第10题
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V卐
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V卐

电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V-1。场效

应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae

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第11题
电路如图题3.4.3所示,电源ve为正弦波电压,试绘出负载RL两端的电压波形,设二极管是理想
的。

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