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[主观题]
电路如图题5.5.3所示,设β=100,Rsi=2千欧,试求:(1)Q点;(2)输入电阻Ri;(3)电压增益Aes
电路如图题5.5.3所示,设β=100,Rsi=2千欧,试求:(1)Q点;(2)输入电阻Ri;(3)电压增益Aes
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=v01/vN和Aes2=v02/vN;(4)输出电阻R01和R02。
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=v01/vN和Aes2=v02/vN;(4)输出电阻R01和R02。
放大电路如图题4.3.5(a)所示,已知VCC=12V,BJT的β=20。若要求Av≥100,ICQ=1mA,试确定Rb、Rc的值,并计算VCEQ。设RL=∞。
电路如图题5.2.6所示,设场效应管的参数为gm1=0.8mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID=0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。
FET恒流源电路如图题5.3.9所示。设已知管子的参数gm、rds,且μ=gmrds。试证明AB两端的小信号等效电阻为rAB=R+(1+gmR)rd。
Cs很大,对信号可视为短路。场效应管的VTS=0.8V,KN=1mA/V,输出电阻rds=∞。试求电路的小信号电压增益AF。
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效
应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae。