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第10题
关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是（)。
A.扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成
B.其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥
C.集力敏与力电转换检测于一体
D.根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小
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C.集力敏与力电转换检测于一体
D.根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小
