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在图3-5所示电路中，假设两管μn、Cox相同，VGS(th)=0.75V，ID2=1mA。若忽略沟道长度调制效应，并设T1管的沟道宽长比(W/I)是T2管的5倍，试问流过电阻R的电流IR值。
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度调制效应,并设T1管的沟道宽长比(W/l)是T2管的5倍.试问流过电阻R的电流IR值.
图LP2-13(a)所示电路中,已知两管的a1=0.99,a2=0.98.T2管的IBC=1.5mA,两管的ICBO很小,均可忽略,|VA|→∞,VCC=15V,R=100Ω,并设两管均工作于放大模式.(1)试画出电路的共发射极简化电路模型;
(2)计算电流IC1、IC2、IBC、IC和电压VCE;(3)比较两个单管的β1、β2与复合管β(=IC/IBC)值.
在图NPS3-1(a)所示振荡电路中，已知
，变压器耦合系数k=0.9999;电流源电流IEF=4mA。(1)试分析电路，观察并记录两晶体管集电极输出电压波形，并由T2管集电极输出波形，计算振荡频率。(2)若将IEF改为2mA，再做(1)的分析和记录，并比较结果。(3)试确定最小工作电流IEE值。
8.24μH，L2=95.68nH，变压器耦合系数k=0.9999;电流源电流IEE=4mA。(1)试分析电路，观察并记录两晶体管集电极输出电压波形，并由T2管集电极输出波形，计算振荡频率。(2)若将IEE改为2mA，再做(1)的分析和记录，并比较结果。(3)试确定最小工作电流IEE值。
在图4-11所示电路中，已知图4-11(a)电路中N沟道JFET的VGS(off)=-2V，IDSS=5mA，图4-11(b)电路中N沟道DMOS管的VGS(th)=-2V，μnCoxW/(2l)=0.6mA/V2，试计算VGSQ、IDQ、VDSQ。
实际流体在粗细均匀的水平管中流动(图3-5所示)，管中“1”点比“2”点距流源近并且在同一轴线上，
比较有：
A．v1＞v2，P1＞P2
B．v1＞v2，P1＜P2
C．v1=v2，P1=P2
D．v1=v2，P1＞P2
在图LT4-13(a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的
(1)计算
(2)画出交流等效电路.(3)求
在图4．4．4所示电路中，设两触发器的初态均为0，经过3个
1.jpg)
脉冲作用后，Q1Q2的状态为_________________。
2.jpg)
在图(a)所示电路中，有A、B两个元件，B元件吸收的功率为PB=12W，电流I=2A，试标出两元件电压的参考方向并计算其代数值和PA。
