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[主观题]

一个128×128结构的动态RAM芯片,每隔2ms要刷新一次,且刷新是按顺序对所有128行的存储元进行内部读

操作和写操作实现的。设存取周期为0.5μs,求刷新开销。

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第1题
用容量64K×1的RAM芯片构成1MB的存储器系统需要芯片数为()。

A.16

B.128

C.64

D.32

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第2题
64K×1位DRAM芯片通常制成两个独立的128×256阵列。若存储器的读/写周期为0.5μs,则对集中式刷新而
言,其“死区”时间是多少?如果是一个256K×1位的DRAM芯片,希望能与上述64K×1位DRAM芯片有相同的刷新延时,则它的存储阵列应如何安排?

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第3题
8051单片机中片内RAM共有()字节。

A.128

B.256

C.4K

D.64K

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第4题
MCS-51系列的单片机中片内RAM的字节大小可能的是()。

A.128M

B.128K

C.128

D.64

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第5题
全屋智能主机运行内存RAM是()MB。

A.64

B.128

C.256

D.512

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第6题
访问片内RAM低128字节使用哪些寻址方式?访问片内RAM高128字节使用什么寻址方式?访问SFR使用什么寻址方式?

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第7题
8051芯片内有多少个字节数据存储器?() (A) 8 (B) 16 (C) 64 (D) 128

8051芯片内有多少个字节数据存储器?( )

(A) 8 (B) 16 (C) 64 (D) 128

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第8题
欲将容量为128×1的RAM扩展为1024×8,则需要控制各片选端的辅助译码器的输出端数为()

A.1

B.2

C.4

D.8

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第9题
欲将容量为128×1b的RAM护展为1024×8b,则需要控制各片选端的辅助译码器的输出端数为().

A.1

B.2

C.3

D.8

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第10题
一个1K×4位的动态RAM芯片,若其内部结构排列成64×64形式,且存取周期为0.1μs。 (1)若采用分散

一个1K×4位的动态RAM芯片,若其内部结构排列成64×64形式,且存取周期为0.1μs。 (1)若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式,刷新信号周期应该取多少? (2)若采用集中刷新,则对该存储芯片刷新一遍需多少时间?死时间率是多少?

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