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[主观题]

一个1K×4位的动态RAM芯片,若其内部结构排列成64×64形式,且存取周期为0.1μs。 (1)若采用分散

一个1K×4位的动态RAM芯片,若其内部结构排列成64×64形式,且存取周期为0.1μs。 (1)若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式,刷新信号周期应该取多少? (2)若采用集中刷新,则对该存储芯片刷新一遍需多少时间?死时间率是多少?

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第1题
已知Intel 2114是1K×4位的RAM集成电路芯片,它有地址线______条,数据线______条。
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第2题
将Inte12114(1K*4位)RAM扩展成为8K*4位的存储器,需要Inte12114芯片数是(),需要增加的地址线是()条。

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第3题
已知某8位机的主存采用半导体存储器,其地址码为18位,采用4K×4位的静态RAM芯片组成该机所允许的最
大主存空间,并选用模块板形式,问: (1)若每个模块板为32K×8位,共需几个模块板? (2)每个模块板内共有多少片RAM芯片? (3)主存共需要多少RAM芯片?CPU如何选择各模块板?如何选择具体芯片(说明选用的器件及地址码的分配)?

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第4题
当用容量为1K×4的RAM芯片构成一个容量为4K×8的RAM时,需要使用的译码器至少具有______个输出信号。

A.1

B.2

C.4

D.8

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第5题
某RAM芯片的存储容量为256×4位,该芯片的外部引脚有几根地址线?几根数据线?若已知某RAM芯片引脚中
有11条地址线,8条数据线,那么该芯片的存储容量是多少?

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第6题
一个128×128结构的动态RAM芯片,每隔2ms要刷新一次,且刷新是按顺序对所有128行的存储元进行内部读
操作和写操作实现的。设存取周期为0.5μs,求刷新开销。

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第7题
容量为4K×4位的RAM芯片,其地址线和数据线各为12和4条。()
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第8题
试用4片2114型1K字×4位RAM构成4K字×4位的RAM。

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第9题
静态半导体存储器RAM()。

A.不需要动态刷新

B.芯片内部已有自动刷新逻辑

C.断电后仍能保持内容不变

D.工作过程中存储内容静止不变

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第10题
Intel 2114为1K×4位的存储器,要组成64KB的主存储器,需要( )片该芯片。

A.16

B.32

C.48

D.128

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