题目内容
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[主观题]
一个1K×4位的动态RAM芯片,若其内部结构排列成64×64形式,且存取周期为0.1μs。 (1)若采用分散
一个1K×4位的动态RAM芯片,若其内部结构排列成64×64形式,且存取周期为0.1μs。 (1)若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式,刷新信号周期应该取多少? (2)若采用集中刷新,则对该存储芯片刷新一遍需多少时间?死时间率是多少?
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一个1K×4位的动态RAM芯片,若其内部结构排列成64×64形式,且存取周期为0.1μs。 (1)若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式,刷新信号周期应该取多少? (2)若采用集中刷新,则对该存储芯片刷新一遍需多少时间?死时间率是多少?