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第3题
电路如图L10－4－1所示，其中门G1、G2均为CMOS反相器，T为NMOS场效应管，vI为输入信号，为连续可变正信号，且有RP足
电路如图L10-4-1所示，其中门G1、G2均为CMOS反相器，T为NMOS场效应管，vI为输入信号，为连续可变正信号，且有RP足够大，RF远大于RON(N)和RON(P)，试分析该电路的工作原理。
第4题
NMOS构成的开关电路如图2．3．4所示，其参数为Kn=4 mS，VT=0．8 V。该电路用于使发光二极管导通或截止。
二极管的正向压降为VF=1．5 V。如果输入vI=5 V时二极管导通电流为12 mA，试确定此时Rd及vDS的数值。
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第5题
电路如下图所示，NMOS管的参数为：VT=1V，KN=50μA／V2，λ=0，PMOS管的参数为：VT=－1V，KP=25μA／V2，λ=0，设全部管子均
电路如下图所示，NMOS管的参数为：VT=1V，KN=50μA/V2，λ=0，PMOS管的参数为：VT=-1V，KP=25μA/V2，λ=0，设全部管子均工作于饱和区，试求R、I3和I4的值。各管的W/L值
第6题
电路如图题7.1.1所示，IREF=I1=1mA， NMOS管的参数为：VTN=1V，Kn=50μA/V2
电路如图题7.1.1所示，IREF=I1=1mA， NMOS管的参数为：VTN=1V，Kn=50μA/V2，λn=0。PMOS管的参数为：VTP= -1V，KP=25μA/V，λP=0，设全部管子均运行于饱和区，试求R、I3和I4的值。各管的W/L值见图示。
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