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电路如下图所示，NMOS管的参数为：VT=1V，KN=50μA/V2，λ=0，PMOS管的参数为：VT=-1V，KP=25μA/V2，λ=0，设全部管子均工作于饱和区，试求R、I3和I4的值。各管的W/L值
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电流源电路如下图所示，VDD=+5V，-VSS=-5V，T1～T5为特性相同的NMOS管，VT=2V，KN2=KN3=KN4=KN5=0.25mA/V2，KN1=0.10mA/V2，λ=0,求IREF和I。
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电路如下图所示，设Rg1=90kΩ，Rg2=60kΩ，Rd=30kΩ，VDD=5V，VT=1V，KN=0.1mA/V2。试计算电路的栅源电压VGS和漏源电压VDS。
双端输入、双端输出的差动放大电路如下图所示，晶体管β=50，rbe=3kΩ，其他参数标在图中，试解答：
(1)求静态管压降UCEQ；
(2)当uid=10mV时，输出电压uo为何值？
电路及参数如下图所示。试回答下列问题：
(1)D1D4的作用是，电容C1的作用是;
(2)T管的作用是，集成运放A的作用是;
(3)稳压管DZ提供，电阻R 1、R2和RP构成;
(4)设输入交流电压有效值V2=20V，R1=1k，R2=Rp=2k，电位器的中心抽头在中间位置，稳压管的稳定电压为VZ=6V，试计算A、C和E点的电位。
两级放大电路如下图所示，已知场效应管V的gm=1ms，晶体管VT的β=99，rbe=2kΩ，电容足够大。(1)试画出该电路的小信号等效电路;(2)说明 RG3的作用,并求输入电阻Ri; (3)求电压放大倍数 Au及输出电阻 Ro。
差动放大电路如下图所示，各三极管参数相同。已知=60，VBE=0.7V。
(1)求静态时T1、T2管的静态工作点。
(2)求电路双端输出时的差模电压增益AVD、共模电压增益AVC和共模抑制比KCMR。
