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第1题
当：PN结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。当PN结外加反向电压时，扩散电流_
________漂移电流，耗尽层_______。 a．大于 b．小于 c．变宽 d．变窄
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第7题
PN结加反向电压(数值小于击穿电压)时：()。
A.空间电荷区变宽，漂移运动大于扩散运动
B.空间电荷区变窄，漂移运动大于扩散运动
C.空间电荷区变窄，扩散运动大于漂移运动
D.空间电荷区变宽，扩散运动大于漂移运动
第9题
关于PN结，下列（）说法是错误的。
A.由P型和N型半导体通过一定的方式结合而成
B.PN结的基本特性-----单向导电性.只有在外加电压时才能显现出来
C.PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通
D.PN结加反向电压时，反向电流值很大,PN结截止
第10题
已知硅和锗PN结的反向饱和电流分别为10－14A和10－8A。若外加电压为－0.1V、0V、0.25V、0.45V、0.65V时，试求室温下
已知硅和锗PN结的反向饱和电流分别为10-14A和10-8A。若外加电压为-0.1V、0V、0.25V、0.45V、0.65V时，试求室温下各电流I，并指出电压增加0.2V时，电流增加的倍数。
