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[单选题]

一个容量为1K×8的存储芯片有______个基本存储单元。

A.8

B.1024

C.8000

D.8192

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第1题
用容量为1K×4、2K×8或8K×8的存储芯片组成一个容量为64K×8的存储器,分别需要多少片芯片?其中,片内地址分别是
多少位?芯片地址分别是多少位?
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第2题
已知某存储芯片的容量为1K×4。试画出用这种芯片构成的容量为4K×8的存储器线路图,并要求该存储器的地址空间为
1000H~1FFFH(假定地址总线为16位)。
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第3题
一个容量为1K×8的存储器有()个基本存储单元

A.8

B.1024

C.8000

D.8192

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第4题
在表示存储器容量时,1K×8表示()。

A.有1000个存储单元,每个单元为8bit

B.存储器中有8000个存储器单元

C.有1k个存储器单元,每个单元可存一个字节

D.访问时需要20位地址线

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第5题
用1K×1位的存储芯片组成容量为16K×8位的存储器共需________片,若将这些芯片分装在几块板上,设每
块板的容量为4K×8位,则该存储器所需的地址码总位数是________,其中________位用于选板,________位用于选片,________位用于存储芯片的片内地址。

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第6题
当用容量为1K×4的RAM芯片构成一个容量为4K×8的RAM时,需要使用的译码器至少具有______个输出信号。

A.1

B.2

C.4

D.8

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第7题
若某系统有24条地址线,字长为8位,其最大寻址空间为多少?现用 SRAM2114(1K*4)存储芯片组成存储系统,试问采用线选译码时需要多少个2114存储芯片?

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第8题
若某微处理器系统有16条地址线,字长为8位,现用SRAM2114(1K*4)存储芯片搭建存储子系统,试问采用线选译码时最多可以扩展()片2114存储芯片。

A.12

B.20

C.24

D.32

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第9题
一个1K×4位的动态RAM芯片,若其内部结构排列成64×64形式,且存取周期为0.1μs。 (1)若采用分散

一个1K×4位的动态RAM芯片,若其内部结构排列成64×64形式,且存取周期为0.1μs。 (1)若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式,刷新信号周期应该取多少? (2)若采用集中刷新,则对该存储芯片刷新一遍需多少时间?死时间率是多少?

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第10题
在容量为8K×8的存储芯片中,共有多少个存储单元?每个单元的位数是多少?该芯片分别有多少个地址和数据引脚?
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