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[主观题]

根据下图(a)、(b)所示场效应管输出特性曲线,分别作出uDS=8V时的转移特性曲线。

根据下图(a)、(b)所示场效应管输出特性曲线,分别作出uDS=8V时的转移特性曲线。

根据下图(a)、(b)所示场效应管输出特性曲线,分别作出uDS=8V时的转移特性曲线。根据下图(a)

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第1题
由场效应管组成的差动放大电路如下图所示,已知跨导gm=5ms,试求双端输出时的差模电压放大倍数。

由场效应管组成的差动放大电路如下图所示,已知跨导gm=5ms,试求双端输出时的差模电压放大倍数由场效应管组成的差动放大电路如下图所示,已知跨导gm=5ms,试求双端输出时的差模电压放大倍数。由场

由场效应管组成的差动放大电路如下图所示,已知跨导gm=5ms,试求双端输出时的差模电压放大倍数。由场

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第2题
某场效应晶体管的输出与转移特性曲线如下图所示,试说明该场效应晶体管为______沟道______型场效应管,其开启

电压或夹断电压为______V。

某场效应晶体管的输出与转移特性曲线如下图所示,试说明该场效应晶体管为______沟道______型场

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第3题
场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,

场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,  场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,

场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,

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第4题
电路如下图所示,已知场效应管gm=2mS,试求:

电路如下图所示,已知场效应管gm=2mS,试求:

电路如下图所示,已知场效应管gm=2mS,试求:电路如下图所示,已知场效应管gm=2mS,试求:

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第5题
场效应管放大电路如下图所示。

场效应管放大电路如下图所示。 场效应管放大电路如下图所示。 场效应管放大电路如下图所示。

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第6题
下图所示场效应管输出特性曲线,其管子的类型是( )。下图所示场效应管输出特性曲线,其管子的类型是( )。

A.NMOS增强型

B.NMOS耗尽型

C.PMOS增强型

D.PMOS耗尽型

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第7题
场效应管的电路符号如下图所示,其中耗尽型NMOS场效应管的电路符号为()。

场效应管的电路符号如下图所示,其中耗尽型NMOS场效应管的电路符号为( )。

场效应管的电路符号如下图所示,其中耗尽型NMOS场效应管的电路符号为()。场效应管的电路符号如下图所

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第8题
耗尽型场效应管组成的恒流源电路如下图所示,RL变化时,iL几乎不变。已知场效应管的IDSS=4mA,UGS(off)=-4V,求

耗尽型场效应管组成的恒流源电路如下图所示,RL变化时,iL几乎不变。已知场效应管的IDSS=4mA,UGS(off)=-4V,求

耗尽型场效应管组成的恒流源电路如下图所示,RL变化时,iL几乎不变。已知场效应管的IDSS=4mA,

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第9题
下图a所示的电路中,已知UGS=-2V,场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。

下图a所示的电路中,已知UGS=-2V,场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。

下图a所示的电路中,已知UGS=-2V,场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。下图a

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第10题
由N沟道结型场效应管构成的电路如下图(a)所示,已知场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-3.5V。试:

由N沟道结型场效应管构成的电路如下图(a)所示,已知场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-

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