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[主观题]

如果半导体主要靠______在导带中运动导电,那称之为n型半导体。

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第1题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第2题
以下关于“热平衡状态”和“非平衡状态”的描述正确的是()。
A、半导体处于热平衡状态时,有确定的载流子浓度,即平衡载流子

B、半导体处于热平衡状态时,整个材料具有统一的费米能级

C、半导体处于热平衡状态时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡

D、在外界作用下,半导体中额外产生了载流子,即非平衡载流子,半导体进入非平衡状态

E、在外界作用下,如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,此时半导体为热平衡态

F、在外界作用下,稳定时,载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡,载流子浓度具有确定的值,但此时半导体为非平衡态

G、半导体处于非平衡态时,整个材料不具有统一的费米能级

H、半导体处于非平衡态时,导带电子的分布用导带准费米能级表征,价带空穴的分布用价带准费米能级表征

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第3题
300K时,在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导体,欲使得锗中的费米能级低于导带底能量O.15eV
,施主掺杂陈度ND为()。

300K时,在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导体,欲使得锗中的费米能级低于导带底能量O.15eV

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第4题
载流子跃迁前后在()所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙,相应的半导体称为间接能隙半导体。

A.导带底

B.导带顶

C.禁带中

D.禁带外

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第5题
在P型半导体中,主要靠______导电,在N型半导体中,主要靠______导电。
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第6题
半导体中施主能级的位置位于()中。

A. 禁带

B. 价带

C. 导带

D. 满带

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第7题
半导体中施主能级的位置位于()。

A. 禁带

B. 满带

C. 导带

D. 价带

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第8题
半导体和金属的区别是()。

A.半导体中有导带带,金属中没有

B.金属中有禁带,半导体中没有

C.半导体中有禁带,金属中没有

D.金属中有导带带,半导体中没有

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第9题
以下关于“简并半导体”的描述正确的是:()。

A.n型简并半导体,导带中的电子服从费米分布函数

B.p型简并半导体,价带中的空穴服从费米分布函数

C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带

D.n型简并半导体,导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

E.p型简并半导体,价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

F.费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

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第10题
清洁表面的表面能级处在半导体禁带中的()位置。

A.中央

B.靠近导带底

C.靠近价带顶

D.靠近导带底或价带顶

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