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[单选题]
某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。
某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。
A.P沟道增强型MOS管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
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已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，分别画出uDS=3V、6V、9V时的转移特性曲线。
结型场效应管的伏安特性及对应的混频器电原理图如图所示，其中
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
图4．5．17所示为一个场效应管混频器。场效应管的转移特性为
式中，ID为漏极电流；IDSS是栅压为零时的漏极电流；VP为夹断电压；VGS为栅源 电压。 设直流偏置电压为VGS0；信号电压为vs=Vssinωst；本振电压v0=V0sinω0t。 试证明： 1)此混频器能完成混频作用；
一场效应管，当uGS=-0.3V时，iD=4mA，当uGS=0.8V时，iD=3mA，试问该管的gm为多少？
图题9.19所示为场效应管平衡混频器电路。图中，us(t)=Usmcos(ωst)，uL(t)=ULmcos(ωLt)。试说明此混频电路的工作过程。分析在此电路的输出电压中是否存在本振频率和输入信号频率的基波分量，并求输出中频电流的表达式。设电路工作在场效应管的平方律区域，其转移特性为
场效应管电路及场效应管转移特性均示于下图，已知us=0.1sinωt(V)，试求uGS、iD及uDS。
各种类型场效应管的输出特性曲线如图LT3-2(a)、(b)、(c)所示，试分别指出各FET管的类型、符号、VGS(th)或VGS(off)，并画出|VDS|=5 V时相应的转移特性曲线。
