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更多“共源电路如图题4.11.1示。电路参数为：VDD=20V，R…”相关的问题
电路如图题5.2.6所示，设场效应管的参数为gm1=0.8mS，λ1=λ2=0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID=0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示，设场效应管的参数为gm1=0.7mS，λ1=λ2=0.01V-1。场效
应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae。
欧，Rm=1千欧，Rxi=10千欧。场效应管参数为VTS=1.5V，Kn=2mA/V2，λ=0。试求(1)静态工作点Q;(2)电压增益Ap和源电压增益Aex;(3)输入电阻Ri和输出电阻R0。
165千欧，Rg2=35千欧，VTS=0.8V，Kn=1mA/V2， 场效应管的输出电阻rds=∞(λ=0)，电路静态工作点处VGS=1.5V。试求图题4.4.1a所示共源极电路的小信号电压增益Ar=v0/vi、源电压增益Ads=v0/ve、输入电阻Ri和输出电阻R0。
电路如图题7.2.4所示，输入信号电压
。当电路中T1~T4参数已知
，证明电路的电压增益为：
。
已知电路形式如图题5.3.6(a)所示，其中管子输出特性如图题5.3.6(b)所示，电路参数为Rd=25kΩ，R=1.5kΩ，Rg=5MΩ，VDD=15V。试用图解法和计算法求静态工作点Q。
FET恒流源电路如图题5.3.9所示。设已知管子的参数gm、rds，且μ=gmrds。试证明AB两端的小信号等效电阻为rAB=R+(1+gmR)rd。
