题目内容
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[单选题]
本征半导体具有以下哪些特性？（)①热敏性②光敏性③掺杂性④单向导电性
A.②、③、④
B.①、②、④
C.①、②、③
D.①、②、③、④
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A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差
B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体
C.通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体
D.通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
A.本征跃迁是本征吸收的逆过程
B.对于直接禁带半导体，其本征跃迁为直接跃迁
C.直接跃迁过程中只有光子和电子参与
D.对于间接禁带半导体，其本征跃迁是间接跃迁
E.间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外，还有声子参与
F.间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多
A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程
B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁
C.作为半导体发光材料，要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势
D.辐射跃迁包括带间跃迁，有杂质或缺陷参与的跃迁，以及带内跃迁
A.本征半导体中掺入施主杂质
B.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度大于受主浓度
C.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度小于受主浓度
D.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度等于受主浓度
E.本征半导体中掺入受主杂质
A.减小低掺杂区的掺杂浓度
B.提高P区和N区的掺杂浓度
C.选用禁带宽度高的半导体材料
D.选用本征载流子浓度小的半导体材料
A.有外界作用
B.导带和价带之间没有统一的费米能级
C.载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方
D.导带和价带之间有统一的费米能级
E.不存在非平衡载流子
F.载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方
