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第8题
可控硅导通的条件是（)。
A.阳极和阴极间加一定的反向电压，控制极和阴极间加一定的正向电压
B.阳极和阴极间加一定的正向电压，控制极和阴极间加一定的正向电压
C.阳极和阴极间加一定的正向电压，控制极和阴极间加一定的反向电压
D.阳极和阴极间加一定的反向电压，控制极和阴极间加一定的反向电压
第10题
设一n沟增强型管VTH=2V，VGS=6V，源端接地，以下说法正确的是（)。
A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0
B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀
C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢
D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止
