在下图所示放大电路中，已知UDD=20V，RD=10kΩ，RG1=200kΩ，RG2=51kΩ，RG=1MΩ，RS=10kΩ，在输出端接一负载

在下图所示放大电路中，已知U_DD=20V，R_D=10kΩ，R_G1=200kΩ，R_G2=51kΩ，R_G=1MΩ，R_S=10kΩ，在输出端接一负载电阻R_L=10kΩ场效应晶体管为N沟道耗尽型，其参数，I_DSS=0.9m，U_GS(off)2=-4V，g_m=1.5mA/V，试求静态作点及电压放大倍数

在下图所示放大电路中，已知UDD=20V，RD=10kΩ，RG1=200kΩ，RG2=51kΩ，RG

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第1题

在题图所示的场效晶体管放大电路中，已知RL＝30kΩ，RG1＝2MΩ，RG2＝ 47kΩ，RG＝10MΩ，RD＝30kΩ，RS＝2kΩ， UDD＝＋18V，C1＝C

在题图所示的场效晶体管放大电路中，已知R_L＝30kΩ，R_G1＝2MΩ，R_G2＝ 47kΩ，R_G＝10MΩ，R_D＝30kΩ，R_S＝2kΩ， U_DD＝+18V，C₁＝C₂＝0.01μF，C_S＝10μF，管子为3DO1。试计算：(1) 静态值I_D和U_DS；(2) r_i,r_o和A_u；(3) 如将旁路电容C_S除去，计算A_uf。设静态值 U_GS＝-0.2V，g_m＝1.2mA/V，r_ds＞＞R_D。

在题图所示的场效晶体管放大电路中，已知RL＝30kΩ，RG1＝2MΩ，RG2＝ 47kΩ，RG＝10

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第2题

在图15.9.11（在教材中)所示的场效晶体管放大电路中，已知RL=30kΩ，RG1=2MΩ，RG2=47kΩ，RC=10MΩ，RD=30kΩ，RS=2kΩ，

在图15.9.11(在教材中)所示的场效晶体管放大电路中，已知R_L=30kΩ，R_G1=2MΩ，R_G2=47kΩ，R_C=10MΩ，R_D=30kΩ，R_S=2kΩ，U_DD=+18V，C₁=C₂=0.01μ_F，C_S=10μF，管子为3D01。试计算(1)静态值I_D和U_DS；(2)r_i，r_o和A_u；(3)如将旁路电容C_S除去，计算A_uf。

在图15.9.11（在教材中)所示的场效晶体管放大电路中，已知RL=30kΩ，RG1=2MΩ，RG2

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第3题

在图题4.8.7所示FET放大电路中，已知V_DD=20V，V_GS=-2V，管子参数I_DSS=4mA，V_PN=-4

V。设C₁、C₂在交流通路中可视为短路。(1)求电阻R₁和静态电流I_DQ;(2)求正常放大条件下R₂可能的最大值。

在图题4.8.7所示FET放大电路中，已知VDD=20V，VGS=-2V，管子参数IDSS=4mA，

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第4题

在下图所示差分放大电路中，已知UCC=12V，－UEE=－12V，RC1=RC2=10kΩ，Rw=1kΩ，RB1=RB2=2kΩ，RE=10kΩ，三极管UBE=0.6

在下图所示差分放大电路中，已知U_CC=12V，-U_EE=-12V，R_C1=R_C2=10kΩ，R_w=1kΩ，R_B1=R_B2=2kΩ，R_E=10kΩ，三极管U_BE=0.6V，β₁=β₂=60。试求：

在下图所示差分放大电路中，已知UCC=12V，－UEE=－12V，RC1=RC2=10kΩ，Rw=1

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第5题

放大电路如下图所示，已知晶体管的β=100，则该电路中三极管工作在( )。

A.放大区

B.饱和区

C.截止区

D.无法确定

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第6题

电路如下图所示，已知E1=20V，R1=2Ω，E2=60V，R2=2Ω，若要使流过R的电流为2A，R为何值？

电路如下图所示，已知E₁=20V，R₁=2Ω，E₂=60V，R₂=2Ω，若要使流过R的电流为2A，R为何值？

电路如下图所示，已知E1=20V，R1=2Ω，E2=60V，R2=2Ω，若要使流过R的电流为2A，R

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第7题

在下图所示的两级放大电路中，已知晶体管的β1=β2=50，β3=80，UBE1=UBE2=－UBE3=0.7V，rbe1=rbe2=3.9kΩ，rbe3=2.4k

在下图所示的两级放大电路中，已知晶体管的β₁=β₂=50，β₃=80，U_BE1=U_BE2=-U_BE3=0.7V，r_be1=r_be2=3.9kΩ，r_be3=2.4kΩ；R₁=1kΩ，R_C=10kΩ，R_E=20kΩ，R_E3=3kΩ，R_C3=12kΩ，电源电压V_CC=V_EE=12V。