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[主观题]

电路如下图所示,已知电压放大倍数为-100,RL=25Ω,输入电压ui为正弦波,T2和T3管的饱和压降|UCES|=1V,试问:

电路如下图所示,已知电压放大倍数为-100,RL=25Ω,输入电压ui为正弦波,T2和T3管的饱和压降|UCES|=1V,试问:

电路如下图所示,已知电压放大倍数为-100,RL=25Ω,输入电压ui为正弦波,T2和T3管的饱和压

(1)在不失真情况下,允许输入电压的最大有效值Uim为多少伏?

(2)若Ui=50mV(有效值),则输出功率Po是多少?

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第1题
由场效应管组成的差动放大电路如下图所示,已知跨导gm=5ms,试求双端输出时的差模电压放大倍数。

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由场效应管组成的差动放大电路如下图所示,已知跨导gm=5ms,试求双端输出时的差模电压放大倍数。由场

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第2题
差分放大电路如下图(a)所示,已知β=120,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求单端输出时的差模电压放大倍数、共模电压放

差分放大电路如下图(a)所示,已知β=120,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求单端输出时的差模电压放大倍数、共模电压放大倍数及共模抑制比。

差分放大电路如下图(a)所示,已知β=120,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求单端输出时

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第3题
差分电路如下图所示,已知晶体管的β=60,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:

差分电路如下图所示,已知晶体管的β=60,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:

(1)静态工作点ICQ、UCEQ;

(2)rbe

(3)电压放大倍数Au

差分电路如下图所示,已知晶体管的β=60,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:差分电路如下

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第4题
两级放大电路如下图所示,已知场效应管V的gm=1ms,晶体管VT的β=99,rbe=2kΩ,电容足够大。

两级放大电路如下图所示,已知场效应管V的gm=1ms,晶体管VT的β=99,rbe=2kΩ,电容足够大。(1)试画出该电路的小信号等效电路;(2)说明 RG3的作用,并求输入电阻Ri; (3)求电压放大倍数 Au及输出电阻 Ro。

两级放大电路如下图所示,已知场效应管V的gm=1ms,晶体管VT的β=99,rbe=2kΩ,电容足够

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第5题
下图所示放大电路为射极输出器,已知UCC=12V,RB=110kΩ,RE=3kΩ,RL=3kΩ,三极管UBE=0.6V,β=100。各电容足够大,试

下图所示放大电路为射极输出器,已知UCC=12V,RB=110kΩ,RE=3kΩ,RL=3kΩ,三极管UBE=0.6V,β=100。各电容足够大,求(1)带负载和空载两种情况下的电压放大倍数(2)输入电阻和输出电阻

下图所示放大电路为射极输出器,已知UCC=12V,RB=110kΩ,RE=3kΩ,RL=3kΩ,三极

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第6题
放大电路如下图所示,晶体管为硅管,β=60,基区电阻rbb'=150Ω,试计算: (1)输入电阻Ri,电压放大倍数和; (2)若

放大电路如下图所示,晶体管为硅管,β=60,基区电阻rbb'=150Ω,试计算:

(1)输入电阻Ri,电压放大倍数放大电路如下图所示,晶体管为硅管,β=60,基区电阻rbb'=150Ω,试计算:  (1)输入电阻R放大电路如下图所示,晶体管为硅管,β=60,基区电阻rbb'=150Ω,试计算:  (1)输入电阻R

(2)若去掉电容Ce后,再求出输入电阻Ri和放大倍数放大电路如下图所示,晶体管为硅管,β=60,基区电阻rbb'=150Ω,试计算:  (1)输入电阻R

放大电路如下图所示,晶体管为硅管,β=60,基区电阻rbb'=150Ω,试计算:  (1)输入电阻R

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第7题
放大电路如下图所示,晶体管为PNP锗管,β=45,试求: (1)静态工作点ICQ和UCEQ; (2)放大电路的输入电阻Ri和输

放大电路如下图所示,晶体管为PNP锗管,β=45,试求:

(1)静态工作点ICQ和UCEQ

(2)放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro

(3)电压放大倍数。

放大电路如下图所示,晶体管为PNP锗管,β=45,试求:  (1)静态工作点ICQ和UCEQ;  (

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第8题
试用集成运算放大器CF741构成如下图所示同相小信号交流放大电路,要求工作频带为100Hz~5kHz,电压放大倍数Auf

试用集成运算放大器CF741构成如下图所示同相小信号交流放大电路,要求工作频带为100Hz~5kHz,电压放大倍数Auf=15,输入电阻为10kΩ,试决定C1、R1、R2、RF的大小;若输入电压Uim=0.5V,为使输出电压不产生失真,试决定电源电压的大小,并核算CF741能否满足要求。

试用集成运算放大器CF741构成如下图所示同相小信号交流放大电路,要求工作频带为100Hz~5kHz

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第9题
在下图所示放大电路中,已知UDD=20V,RD=10kΩ,RG1=200kΩ,RG2=51kΩ,RG=1MΩ,RS=10kΩ,在输出端接一负载

在下图所示放大电路中,已知UDD=20V,RD=10kΩ,RG1=200kΩ,RG2=51kΩ,RG=1MΩ,RS=10kΩ,在输出端接一负载电阻RL=10kΩ场效应晶体管为N沟道耗尽型,其参数,IDSS=0.9m,UGS(off)2=-4V,gm=1.5mA/V,试求静态作点及电压放大倍数

在下图所示放大电路中,已知UDD=20V,RD=10kΩ,RG1=200kΩ,RG2=51kΩ,RG

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第10题
硅管放大电路如下图所示,三极管的β=100,试求: (1)静态工作点; (2)电压放大倍数和; (3)放大电路的输入

硅管放大电路如下图所示,三极管的β=100,试求:

硅管放大电路如下图所示,三极管的β=100,试求:    (1)静态工作点;  (2)电压放大倍数和

(1)静态工作点;

(2)电压放大倍数硅管放大电路如下图所示,三极管的β=100,试求:    (1)静态工作点;  (2)电压放大倍数和硅管放大电路如下图所示,三极管的β=100,试求:    (1)静态工作点;  (2)电压放大倍数和

(3)放大电路的输入电阻Ri

(4)输出电阻Ro1和Ro2

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