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[判断题]

在本征半导体中，本征激发到空带中的电子数目大于余下的满带中的空穴数目。（)

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第1题

300K时，在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导体，欲使得锗中的费米能级低于导带底能量O.15eV

，施主掺杂陈度ND为()。

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第2题

在下列公式中计算本征半导体费米能级的是（)。

在下列公式中计算本征半导体费米能级的是()。

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第3题

我们将具有相同电子浓度和空穴浓度的半导体称为本征半导体。（)

我们将具有相同电子浓度和空穴浓度的半导体称为本征半导体。()

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第4题

在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素)就形成了杂质半导体。（)

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第5题

在本征半导体中加入（)元素可形成N型半导体。A.五价B.四价C.三价

在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。

A.五价

B.四价

C.三价

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第6题

在本征半导体中掺入3价元素就成为()型半导体。

A.P型半导体

B.N型半导体

C.PN结

D.纯净半导体

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第7题

P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的，其多子是()，少子是()。

P型半导体是在本征半导体中掺入（)价杂质形成的，其多子是（)，少子是（)。

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第8题

本征半导体中掺入适量的施主杂质可以形成P型半导体。（)

本征半导体中掺入适量的施主杂质可以形成P型半导体。()

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第9题

杂质半导体中少数载流子的浓度______本征半导体中载流子浓度。 A．大于 B．等于 C．小于

杂质半导体中少数载流子的浓度______本征半导体中载流子浓度。

A．大于 B．等于 C．小于

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第10题

本征半导体中掺入微量______价元素可形成P型半导体，其多数载流子为______。

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第11题

将一n型锗切成厚度为2α的大簿片，样品的长和宽足够大，使得边界效应可以忽略，从而使样品中光生载流子的输运基

本是一维的，上下表面的复合速度都为s，然后将一束一定波长并足以穿透样品而没有显著吸收，但仍与本征吸收限接近，足以激发出可检测的电子—空穴对浓度。求稳定状态时样品中各点的光生载流子浓度。

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