题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
由CMOS施密特与非门构成的门控多谐振荡器如图7.3.7所示。触发控制信号vI如图7.3.8(a)所示。
由CMOS施密特与非门构成的门控多谐振荡器如图7.3.7所示。触发控制信号vI如图7.3.8(a)所示。
(1)分析电路的工作原理,画出vC及vO的波形; (2)试写出该电路各个充、放电时间及振荡频率的表达式。
查看答案
如果结果不匹配,请 联系老师 获取答案
由CMOS施密特与非门构成的门控多谐振荡器如图7.3.7所示。触发控制信号vI如图7.3.8(a)所示。
(1)分析电路的工作原理,画出vC及vO的波形; (2)试写出该电路各个充、放电时间及振荡频率的表达式。
CMOS施密特与非门组成的电路如图7.3.3(a)所示,窄脉冲触发输入信号vI如图7.3.3(b)所示。已知R=5 kΩ,C=0.1μ F,VDD=5 V, VOH≈5 V,VILL≈0 V,VT+=3.3 V,VT-=1.8 V。 (1)分析电路的工作原理,画出vV及vO的波形(两个触发脉冲间隔的时间足够长)。 (2)计算输出高电平持续的时间。
由集成施密特CM0S与非门电路组成的脉冲占空比可调多谐振荡器如下图所示,设电路中R1、R2、C及VDD、VT+、VT-,的值已知。
在图10.3.12所示的施密特触发器构成的多谐振荡器中,已知CMOS集成施密特触发器的VDD=15V,VT+=9V,VT-=4V,R=10 kΩ,C=0.01μF,试求该电路的振荡周期。
在图10.2所示的用CMOS反相器组成的施密特触发电路中,若R1=50kΩ,R2=100 kQ,VDD=5V,,试求电路的输入转换电平VT+、VT-以及回差电压△VT。