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[主观题]

电力晶体管GTR有()个PN结。A.1B.2C.3D.4

电力晶体管GTR有()个PN结。

A.1

B.2

C.3

D.4

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第1题
电力晶体管GTR内部电流是由()形成的。A.电子B.空穴C.电子和空穴D.有电子但无空穴

电力晶体管GTR内部电流是由()形成的。

A.电子

B.空穴

C.电子和空穴

D.有电子但无空穴

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第2题
电力晶体管有()个PN结。

A.1

B.3

C.2

D.4

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第3题
一般情况下,我们知道,电力晶体管有()个PN结。

A.1

B.2

C.3

D.4

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第4题
 当变频器采用电力晶体管GTR时,GTR不允许在下(  )停留。

A.饱和状态

B.截止状态

C.放大状态

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第5题
什么是电力晶体管(GTR)?它有何特点?

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第6题
晶体管三极管内部有两个PN结,因此可以用两个二极管组成一个晶体管。()

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第7题
Gtr是由三层半导体、两个pn结构成的三端器件,所以可以分为PNP和NPN型两种形式。()
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第8题
在电力电子器件中,属于电压驱动的是()

A.晶闸管(SCR)

B.门极可关断晶闸管(GTO)

C.电力晶体管(GTR)

D.电力场效应管(电力MOSFET)

E.绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中

F.电力二极管(Power Diode)

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第9题
电力晶体管GTR在逆变电路中是用来作为开关元件的,其工作过程总是在()之间进行交替的。

A.放大状态和饱和状态

B.饱和状态和低阻状态

C.放大状态和截止状态

D.饱和状态和截止状态

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第10题
晶体管能够放大的内部条件是()。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

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