题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

电力晶体管GTR内部电流是由（)形成的。A.电子B.空穴C.电子和空穴D.有电子但无空穴

电力晶体管GTR内部电流是由()形成的。

A.电子

B.空穴

C.电子和空穴

D.有电子但无空穴

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第1题

什么是电力晶体管（GTR)？它有何特点？

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第2题

在电力电子器件中,属于电压驱动的是（）

A.晶闸管（SCR）

B.门极可关断晶闸管（GTO）

C.电力晶体管（GTR）

D.电力场效应管（电力MOSFET）

E.绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中

F.电力二极管（Power Diode）

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第3题

电力晶体管GTR有（)个PN结。A.1B.2C.3D.4

电力晶体管GTR有()个PN结。

A.1

B.2

C.3

D.4

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第4题

当变频器采用电力晶体管GTR时，GTR不允许在下( )停留。

A.饱和状态

B.截止状态

C.放大状态

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第5题

电力晶体管GTR在逆变电路中是用来作为开关元件的，其工作过程总是在（)之间进行交替的。

A.放大状态和饱和状态

B.饱和状态和低阻状态

C.放大状态和截止状态

D.饱和状态和截止状态

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第6题

通常GTR开关元件的逆变器，在功率晶体管旁反并联一个二极管，其作用是为滞后的负载电流反馈到电源提供通路。（)

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第7题

GTR在应用中应特别注意二次击穿问题，在电感性负载和大电流开关电路中，二次击穿是晶体管毁坏

GTR在应用中应特别注意二次击穿问题，在电感性负载和大电流开关电路中，二次击穿是晶体管毁坏的主要原因。二次击穿将造成GTR的永久性损坏，不具有可逆性。发生二次击穿必须同时具备三个条件，即高电压、大电流和()。

A . 电场

B . 持续时间

C . 磁场

D . 应力

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第8题

在GTR作为开关的电路中，若在转换的过程中出现从高电压小电流到低电压大电流的现象，则说明晶体管（)。

A.失控

B.二次击穿

C.不能控制关断

D.不能控制开通

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第9题

电力电子器件(PowerMOSFET,GTO,IGBT,GTR)中，电流容量最大的是()，开关频率最高的是()。

电力电子器件（PowerMOSFET,GTO,IGBT,GTR)中，电流容量最大的是（)，开关频率最高的是（)。

A、GTO,IGBT

B、GTO,PowerMOSFET

C、IGBT,GTO

D、GTR,GTO

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第10题

晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。（)

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