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[主观题]

放大电路如下图所示,已知晶体管为硅管、β=60,所有电容对交流短路。试计算静态工作点电流ICQ、电压增益Av、源电

放大电路如下图所示,已知晶体管为硅管、β=60,所有电容对交流短路。试计算静态工作点电流ICQ、电压增益Av、源电压增益Avs、输入电阻Ri和输出电阻Ro的值。

放大电路如下图所示,已知晶体管为硅管、β=60,所有电容对交流短路。试计算静态工作点电流ICQ、电压

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第1题
放大电路如下图所示,晶体管为硅管,β=60,基区电阻rbb'=150Ω,试计算: (1)输入电阻Ri,电压放大倍数和; (2)若

放大电路如下图所示,晶体管为硅管,β=60,基区电阻rbb'=150Ω,试计算:

(1)输入电阻Ri,电压放大倍数放大电路如下图所示,晶体管为硅管,β=60,基区电阻rbb'=150Ω,试计算:  (1)输入电阻R放大电路如下图所示,晶体管为硅管,β=60,基区电阻rbb'=150Ω,试计算:  (1)输入电阻R

(2)若去掉电容Ce后,再求出输入电阻Ri和放大倍数放大电路如下图所示,晶体管为硅管,β=60,基区电阻rbb'=150Ω,试计算:  (1)输入电阻R

放大电路如下图所示,晶体管为硅管,β=60,基区电阻rbb'=150Ω,试计算:  (1)输入电阻R

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第2题
对放大电路中的晶体管进行测量,测得各电极电位如下图所示。试分别判断晶体管的类型(是NPN管还是PNP管、是

对放大电路中的晶体管进行测量,测得各电极电位如下图所示。试分别判断晶体管的类型(是NPN管还是PNP管、是硅管还是锗管),并区分电极E、B、C。

对放大电路中的晶体管进行测量,测得各电极电位如下图所示。试分别判断晶体管的类型(是NPN管还是PNP

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第3题
两级放大电路如下图所示,已知三极管均为硅管,|UBE(on)|=0.7V,β=100,rbb'=200Ω。

两级放大电路如下图所示,已知三极管均为硅管,|UBE(on)|=0.7V,β=100,rbb'=200Ω。

两级放大电路如下图所示,已知三极管均为硅管,|UBE(on)|=0.7V,β=100,rbb'=20

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第4题
放大电路如下图所示,晶体管为PNP锗管,β=45,试求: (1)静态工作点ICQ和UCEQ; (2)放大电路的输入电阻Ri和输

放大电路如下图所示,晶体管为PNP锗管,β=45,试求:

(1)静态工作点ICQ和UCEQ

(2)放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro

(3)电压放大倍数。

放大电路如下图所示,晶体管为PNP锗管,β=45,试求:  (1)静态工作点ICQ和UCEQ;  (

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第5题
差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:

差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=80,rbb'=200Ω,UBEQ=0.6V,试求:

差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:差分放

差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:差分放

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第6题
差分电路如下图所示,已知晶体管的β=60,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:

差分电路如下图所示,已知晶体管的β=60,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:

(1)静态工作点ICQ、UCEQ;

(2)rbe

(3)电压放大倍数Au

差分电路如下图所示,已知晶体管的β=60,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:差分电路如下

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第7题
共发射极放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbe=1.5kΩ,试分别求出它们的下限频率fL,并作出幅频特性波特

共发射极放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbe=1.5kΩ,试分别求出它们的下限频率fL,并作出幅频特性波特图。

共发射极放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbe=1.5kΩ,试分别求出它们的下限频率fL

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第8题
放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,则该电路中三极管工作在( )。放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,则该电路中三极管工作在( )。

A.放大区

B.饱和区

C.截止区

D.无法确定

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第9题
放大电路如下图(a)所示,已知晶体管的fT=200MHz,Cb'e=5pF,rbb'=50Ω,re=5Ω,β0=50,略去基极偏置电阻RB1、RB2的

放大电路如下图(a)所示,已知晶体管的fT=200MHz,Cb'e=5pF,rbb'=50Ω,re=5Ω,β0=50,略去基极偏置电阻RB1、RB2的影响,试求该电路的Aus0、fH和G·BW。

放大电路如下图(a)所示,已知晶体管的fT=200MHz,Cb'e=5pF,rbb'=50Ω,re=

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第10题
两级放大电路如下图所示,已知场效应管V的gm=1ms,晶体管VT的β=99,rbe=2kΩ,电容足够大。

两级放大电路如下图所示,已知场效应管V的gm=1ms,晶体管VT的β=99,rbe=2kΩ,电容足够大。(1)试画出该电路的小信号等效电路;(2)说明 RG3的作用,并求输入电阻Ri; (3)求电压放大倍数 Au及输出电阻 Ro。

两级放大电路如下图所示,已知场效应管V的gm=1ms,晶体管VT的β=99,rbe=2kΩ,电容足够

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