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[主观题]
共发射极放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbe=1.5kΩ,试分别求出它们的下限频率fL,并作出幅频特性波特
共发射极放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbe=1.5kΩ,试分别求出它们的下限频率fL,并作出幅频特性波特图。
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共发射极放大电路如下图所示,已知晶体管的β=100,rbe=1.5kΩ,试分别求出它们的下限频率fL,并作出幅频特性波特图。
差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=80,rbb'=200Ω,UBEQ=0.6V,试求:
差分电路如下图所示,已知晶体管的β=60,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,试求:
(1)静态工作点ICQ、UCEQ;
(2)rbe
(3)电压放大倍数Au
放大电路如下图(a)所示,已知晶体管的fT=200MHz,Cb'e=5pF,rbb'=50Ω,re=5Ω,β0=50,略去基极偏置电阻RB1、RB2的影响,试求该电路的Aus0、fH和G·BW。
放大电路如下图所示,已知晶体管为硅管、β=60,所有电容对交流短路。试计算静态工作点电流ICQ、电压增益Av、源电压增益Avs、输入电阻Ri和输出电阻Ro的值。
两级放大电路如下图所示,已知场效应管V的gm=1ms,晶体管VT的β=99,rbe=2kΩ,电容足够大。(1)试画出该电路的小信号等效电路;(2)说明 RG3的作用,并求输入电阻Ri; (3)求电压放大倍数 Au及输出电阻 Ro。
放大电路如下图所示,晶体管的β=100,rbb'=100Ω,|UBE|=0.7V。Ui=0时,Uo=0。试求:
两级放大电路如下图所示,设晶体管参数相同,β=50,rbb'=200Ω,UBEQ=0.6V。
如下图所示的差动放大电路,场效应管V1、V2特性相同,IDSS=1mA,UGS(off)=-2V,晶体管的UBE=0.7V,求: