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[判断题]

高频静电感应晶体管（SIT)比绝缘栅双极型晶体管（IGBT)适用的频率更高。（)

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第1题

高频静电感应晶体管（SIT)比绝缘栅双机型晶体管（IG-BT)适用的频率更高。（)

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第2题

“IGBT”这个英文简称指的是（)。

A.双极型晶体管

B.绝缘栅双极型晶体管

C.可关断晶体管

D.以上说法均不准确

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第3题

EV200驱动电机控制器由以IGBT（绝缘栅双极型晶体管)模块为核心的智能功率模块组成。（)

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第4题

逆变器开关元件是六个绝缘栅双极型晶体管IGBT。这些IGBT和（)的续流二极管集成在一起。

A.正向串联

B.反向并联

C.正向并联

D.反向串联

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第5题

绝缘栅双极型晶体管（IGBT)综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点。（)

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第6题

开关电源中常用的功率开关器件主要有()。

开关电源中常用的功率开关器件主要有（)。

A、双极型晶体管BJT

B、快速晶闸管SCR

C、场效应管MOSFET

D、绝缘栅双极性晶体管IGBT

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第7题

全控型器件有()等器件。

全控型器件有（)等器件。

A . 可关断晶闸管

B . 电力晶闸管

C . 功率场效应管

D . 绝缘栅双极型晶体管

E . 大功率整流二极管

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第8题

绝缘栅双级晶体管具有速度快，输入阻抗高，___________低，耐压高，电容量大的特点。

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第9题

IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（)电力电子器件。

A.结构复杂

B.复合

C.全控型

D.电压驱动式

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第10题

对于双极型晶体管，共发射极电流放大系数截止频率比共基极电流放大系数截止频率低得多。（)

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第11题

下列自关断器件中，属于电流控制型器件的是_______，属于电压控制型器件的是_______。 a．电力场效应晶体管 b

下列自关断器件中，属于电流控制型器件的是_______，属于电压控制型器件的是_______。

a．电力场效应晶体管 b．达林顿晶体管

c．电力晶体管 d．绝缘栅极双极型晶体管

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