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图LP2-13(a)所示电路中,已知两管的a1=0.99,a2=0.98.T2管的IBC=1.5mA,两管的ICBO很小,均可忽略,|VA|→∞,VCC=15V,R=100Ω,并设两管均工作于放大模式.(1)试画出电路的共发射极简化电路模型;
(2)计算电流IC1、IC2、IBC、IC和电压VCE;(3)比较两个单管的β1、β2与复合管β(=IC/IBC)值.
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图所示电路中，已知：R1=R2=100Ω，L1=3H，L2=10H，M=5H，电源电压U=220V，ω=100rad/s。试求两线圈的端电压向量。
在图4-11所示电路中，已知图4-11(a)电路中N沟道JFET的VGS(off)=-2V，IDSS=5mA，图4-11(b)电路中N沟道DMOS管的VGS(th)=-2V，μnCoxW/(2l)=0.6mA/V2，试计算VGSQ、IDQ、VDSQ。
在图LP4-47所示电路中,已知Υcc=30Υ,R=30kΩ,各管的β=100,
|VA|=100Υ,ΥBE(on)=0.7Υ.试求电流源提供的电流I0和T2管输出交流内阻R0.
在图LT4-13(a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的
(1)计算
(2)画出交流等效电路.(3)求
在图LP2-17所示放大电路中，已知VBE(on)1=0．7 V，VBE(on)2=-0．25 V，β1=β2=100，试求T1和T2管的集电极静态电流IC1、IC2。
已知图所示电路中负载1和2的平均功率、功率因数分别为P1=80W、λ1=0.8(感性)和P2=30W、λ2=0.6(容性)。试求各负载的无功功率、视在功率以及两并联负载的总平均功率、无功功率、视在功率和功率因数。
温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.
度调制效应,并设T1管的沟道宽长比(W/l)是T2管的5倍.试问流过电阻R的电流IR值.
在图4-6所示电路中，已知ui为正弦波，RL=16Ω，要求最大输出功率为10W。试在三极管的饱和管压降可以忽略不计的条件下，求出下列各值：
(1) 正、负电源UCC的最小值(取整数)；
(2) 根据UCC最小值，求三极管ICM、UBR,CEO及PTM的最小值；
(3) 当输出功率最大(10W)时，电源供给的功率；
(4) 当输出功率最大时的输入电压有效值。
试求T1和T2管的集电极静态电流Ic1,Ic2.
