在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,VBE(on)=0.7V,ICBO=10-15A,试求:室
温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.
温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.
在图4-11所示电路中,已知图4-11(a)电路中N沟道JFET的VGS(off)=-2V,IDSS=5mA,图4-11(b)电路中N沟道DMOS管的VGS(th)=-2V,μnCoxW/(2l)=0.6mA/V2,试计算VGSQ、IDQ、VDSQ。
在图LP2-17所示放大电路中,已知VBE(on)1=0.7 V,VBE(on)2=-0.25 V,β1=β2=100,试求T1和T2管的集电极静态电流IC1、IC2。
在图6-12所示的反对数变换器中,试证:,其中。已知VB=7V,R1=10kΩ,R2=15.7kΩ,R3=1kΩ,R5=10kΩ,试问:当vS由1mV变到10V时,在室温下相应vO的变化范围是多少?设各集成运放是理想的,各晶体管特件相同。
两级放大电路如下图所示,已知三极管均为硅管,|UBE(on)|=0.7V,β=100,rbb'=200Ω。
由二极管D和电阻R串联组成如图4-80所示电路,若考虑二极管的散弹噪声和电阻热噪声,试求在室温下(T=300K)二极管两端输出的总噪声均方值电压。已知BWn=100kHz,VBE(on)=0.7V,RD很小,可忽略不计。
在图4-6所示电路中,已知ui为正弦波,RL=16Ω,要求最大输出功率为10W。试在三极管的饱和管压降可以忽略不计的条件下,求出下列各值:
(1) 正、负电源UCC的最小值(取整数);
(2) 根据UCC最小值,求三极管ICM、UBR,CEO及PTM的最小值;
(3) 当输出功率最大(10W)时,电源供给的功率;
(4) 当输出功率最大时的输入电压有效值。
放大电路如下图所示,已知晶体管为硅管、β=60,所有电容对交流短路。试计算静态工作点电流ICQ、电压增益Av、源电压增益Avs、输入电阻Ri和输出电阻Ro的值。
若图4.11中已知VCC=20V,RB=500kΩ,RC=5kΩ,晶体管为NPN型硅管,β=50,试求电路的静态工作点。
在图9.17所示两级阻容耦合放大电路中,RB1=20kΩ,RB2=10kΩ,RC=3kΩ,RE=1.5kΩ,UCC=12V,硅晶体管的β=49,第一级放大电路的Au1=-100,求该放大电路的总电压放大倍数。