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第2题
说明场效应晶体管的夹断电压UGS（off)和开启电压UGS（th)的意义。试画出：（1)N沟道绝缘栅增强型；（2)N沟道绝缘栅
说明场效应晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出：(1)N沟道绝缘栅增强型；(2)N沟道绝缘栅耗尽型；(3)P沟道绝缘栅增强型；(4)P沟道绝缘栅耗尽型四种场效晶体管的转移特性曲线，并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们的正负。耗尽型和增强型区别在哪里？
第3题
说明场效晶体管的夹断电压UGS（off)和开启电压UGS（th)的意义。试画出：（1)N沟道绝缘栅增强型；（2)N沟道绝缘栅耗
说明场效晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出：(1)N沟道绝缘栅增强型；(2)N沟道绝缘栅耗尽型；(3)P沟道绝缘栅增强型；(4)P沟道绝缘栅耗尽型四种场效应晶体管的转移特性曲线，并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们的正负。耗尽型和增强型区别在哪里？
第7题
电路如图题4.3.2所示，设R1=R2=100千欧， VDD=5V，Rd=7.5千欧， VTP= -1V，K
P=0.2 mA/V2。试计算图题4.3.2所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
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第9题
双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图3－10所示，已知VGS（th)，=2V，μnCox=200μA／V2，W=40μm，l=10μm。设λ=0，要
双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图3-10所示，已知VGS(th)，=2V，μnCox=200μA/V2，W=40μm，l=10μm。设λ=0，要求ID=0.4mA，VD=1V，试确定RD、RS值。
第11题
已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|V≇
已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,
Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|VA|=200V,VDS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流IDQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻rds,放大因子μ.(2)当VDS增加10%时,相应的IDQ值.(3)画出小信号电路模型.
