热中子被质子散射.姑且设作用势为球方势阱,且与自旋无关,即 已知势阱中存在一个束缚态(l=0)能级,其值为
热中子被质子散射.姑且设作用势为球方势阱,且与自旋无关,即
已知势阱中存在一个束缚态(l=0)能级,其值为
ε=-2.23MeV
(氘核结合能).热中子动能约为.势阱宽(核力力程)a≈2×10-13cm,V。约25~30MeV.试证明散射只在s道(l=0)进行,总截面可以近似表示成
热中子被质子散射.姑且设作用势为球方势阱,且与自旋无关,即
已知势阱中存在一个束缚态(l=0)能级,其值为
ε=-2.23MeV
(氘核结合能).热中子动能约为.势阱宽(核力力程)a≈2×10-13cm,V。约25~30MeV.试证明散射只在s道(l=0)进行,总截面可以近似表示成
设粒子处在[0, a]范围内的一维无限深方势阱中,波函数为,则粒子能量的可能测量值为______
A、
B、,
C、,,
D、,,,
A.α粒子在靠近金原子核的过程中电势能逐渐减小
B.α粒子散射实验说明原子核是由质子和中子组成的
C.α粒子散射实验说明带正电的物质均匀分布在原子内部
D.当它们的距离最小时,α粒子与金原子核的动量大小之比为4∶197
A.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场为量子阱
B.量子阱中的电子在垂直异质结界面方向上的运动受限,而在与异质结界面平行的二维平面内的运动是自由的
C.把量子阱中的电子称为二维电子气(2DEG)
D.n+—AlGaAs与本征GaAs构成异质结时,在异质结界面处GaAs一侧形成了一个三角形的势阱
质量为m的粒子在二维无限深势阱中(0≤x≤π,0≤y≤π)中运动,在阱内有一势场U=ηcosxcosy. (1)写出η=0时能量最低的四个能级和相应的本征函数. (2)在η很小但不为零时,求第一激发态能量至η项.
A.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构
B.两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构
C.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构
D.双异质结形成的结构,如AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs结构
若一个体系由一个质子和一个电子组成,设它的归一化空间波函数为ψ(x1,y1,z1;x2,y2,z2),其中足标1,2分别代表质子和电子,试写出:
(1)在同一时刻发现质子处于(1,0,0)处,电子处于(0,1,1)处的几率密度;
(2)发现电子处于(0,0,0),而不管质子在何处的几率密度;
(3)发现两粒子都处于半径为1、中心在坐标原点的球内的几率大小