一个电子在转动磁场B=B1cosωt i+B1sinωtj+B0k中,初始时刻处于状态,求t时刻电子处于状态的概率.如
一个电子在转动磁场B=B1cosωt i+B1sinωtj+B0k中,初始时刻处于状态
,求t时刻电子处于状态
的概率.如果0
一个电子在转动磁场B=B1cosωt i+B1sinωtj+B0k中,初始时刻处于状态
,求t时刻电子处于状态
的概率.如果0
A.wL2Bcos(wt+θ)
B.1/2wL2Bcoswt
C.wL2B
D.1/2wL2B
设有一个定域电子,受到沿z方向均匀磁场B的作用,Hamilton量(不考虑轨道运动)为
设t=0时电子自旋“向上”求t>0时S的平均值。
设有一个定域电子置于沿x方向均匀恒定磁场B中,其Hamilton量(只与自旋状态有关)表为
设t=0时电子自旋“向上”(),试求t>0时s的平均值.
某教师针对下列习题的教学片段。
习题:如图所示,匀强磁场的磁感应强度B(T),在垂直于磁场方向的平面内,有一个长度为1(m)的金属棒OP绕垂直于纸面的转动轴O沿逆时针方向以角速度ω(rad/s)匀速转动,试求金属棒OP转动时所产生的感应电动势的大小和方向。
师:前面已学过感应电动势的求解方法。请同学们回忆下如何运用这些知识求解该问题。
师:很好,这是用法拉第感应定律的定义式求金属棒感应电动势的大小。
师:很好,比较两同学的解答。可知两种解法所求感应电动势的大小相同,因而这两种解法都对。
问题:
(1)对上述片段进行评析。
(2)针对上述教学片段中存在的问题,给出改进的思路。
如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴对,当电子和空穴向半导体体内扩散时,受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离,于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。
A.维持不动
B.将向使α减小的方向转动
C.将向使α增大的方向转动
D.将转动,因不知磁场方向,不能确定口会增大还是会减小
度系数为22V/(A·T),试求其输出霍尔电势及载流子浓度。
利用玻尔-索末菲的量子化条件,求: (1)一维谐振子的能量; (2)在均匀磁场中做圆周运动的电子轨道的可能半径。 已知外磁场H=10T(特斯拉),玻尔磁子MB=9×10-24J/T,试计算动能的量子化间隔△E,并与T=4 K及T=100 K的热运动能量相比较。