已知碘元索电势图(1)计算φθ(IO3-/I)和ϕ(IO3-/HIO);(2)电势图中哪
已知碘元索电势图
(1)计算φθ(IO3-/I)和ϕ(IO3-/HIO);
(2)电势图中哪些物质能发生歧化反应?并写出反应方程式.
已知碘元索电势图
(1)计算φθ(IO3-/I)和ϕ(IO3-/HIO);
(2)电势图中哪些物质能发生歧化反应?并写出反应方程式.
图(a)所示连续梁的支座1、2均下沉△=0.02m,试用位移法计算并绘制弯矩图。已知EI=常数。
图(a)所示刚架,各杆EI=常数,CD杆均匀温升50℃,已知材料线膨胀系数为α1,用力法计算绘出M图。
写出图5.26所示各电路的名称,已知R1=1Ω,R2=20Ω,R=R1//R2,试分别计算它们的电压放大倍数和输入电阻。
在图LT4-13(a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的(1)计算(2)画出交流等效电路.(3)求
利用玻尔-索末菲的量子化条件,求: (1)一维谐振子的能量; (2)在均匀磁场中做圆周运动的电子轨道的可能半径。 已知外磁场H=10T(特斯拉),玻尔磁子MB=9×10-24J/T,试计算动能的量子化间隔△E,并与T=4 K及T=100 K的热运动能量相比较。
两级放大电路如题2-32图所示。已知β1=β2=50,rbe1=rbe2=1.3kΩ。(1)VT1和VT2各组成什么电路组态?(2)画出中频区的H参数微变等效电路;(3)计算放大器的输入电阻Ri和输出电阻Ro;(4)计算中频区电压放大倍数
在图题6.2(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ,G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。
(1) 试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。
(2) 若将图题6.2(b)给出的电压信号加到图题6.2(a)电路的输入端,试画出电压的波形。
在图2-27所示网络中,已知C4=C5=0.5F,L6=2H,L1=1H,R2=1Ω,R3=2Ω,is(t)=A,V。(1)绘出电路的有向图并写出其以支路1、2、3为树的基本回路矩阵;(2)计算回路阻抗矩阵,写出回路方程。
在pH4.75的乙酸盐缓冲溶液中,IO3-还原为I-的可逆极谱波的半波电位为+0.779 V(vs.SCE),试计算该电极反应的标准电极电位。