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[主观题]

在图4.13所示电路中,ui1=2V,ui2=-1V,ui3=1V,R11=10kΩ,R12=20kΩ,R1=10kΩ,RF=20kΩ,R3=20kΩ,R4=10kΩ。试求:(1)

在图4.13所示电路中,ui1=2V,ui2=-1V,ui3=1V,R11=10kΩ,R12=20kΩ,R1=10kΩ,RF=20kΩ,R3=20kΩ,R4=10kΩ。试求:(1) uo1,uo2及uo;(2) 运算放大器A2组成的电路中R的作用是什么?其值应为多少?

(3) A3的电路中具有什么类型的负反馈?

在图4.13所示电路中,ui1=2V,ui2=-1V,ui3=1V,R11=10kΩ,R12=20k

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第1题
NA和NB均为含源线性电阻网络,在图所示电路中3Ω电阻的端电压U应为()。 (A)不能确定 (B)-6V (C)2V (D)

NA和NB均为含源线性电阻网络,在图所示电路中3Ω电阻的端电压U应为( )。

NA和NB均为含源线性电阻网络,在图所示电路中3Ω电阻的端电压U应为()。    (A)不能确定

(A)不能确定 (B)-6V (C)2V (D)-2V

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第2题
在图10.9所示电路中,已知RF=4R1,求uO与UI1和uI2的关系式。

在图10.9所示电路中,已知RF=4R1,求uO与UI1和uI2的关系式。

在图10.9所示电路中,已知RF=4R1,求uO与UI1和uI2的关系式。在图10.9所示电路中,已

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第3题
在图10.9所示电路中,已知RF=4R1,求uO与UI1和uI2的关系式。

在图10.9所示电路中,已知RF=4R1,求uO与UI1和uI2的关系式。

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第4题
在图15.32所示的差分放大电路中,设ui1=ui2=uic是共模输入信号。试证明:两管集电极中任一个对“地”的共模输出

在图15.32所示的差分放大电路中,设ui1=ui2=uic是共模输入信号。试证明:两管集电极中任一

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第5题
图10.22所示电路中,集成运放的UCC=UEE=9V,求R2以及下述两种情况下的uO1和uO2:(1)uI1=0.1V,uI2=-0.2V;(2)uI1

图10.22所示电路中,集成运放的UCC=UEE=9V,求R2以及下述两种情况下的uO1和uO2:(1)uI1=0.1V,uI2=-0.2V;(2)uI1=-0.1V,uI2=0.2V。

图10.22所示电路中,集成运放的UCC=UEE=9V,求R2以及下述两种情况下的uO1和uO2:(

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第6题
图16-44所示电路中,已知R1=10kΩ,R2=20kΩ,RF=100kΩ,ui1=0.2V,ui2=-0.5V。试写出uo与ui1,ui2之间的运算关系式,

图16-44所示电路中,已知R1=10kΩ,R2=20kΩ,RF=100kΩ,ui1=0.2V,ui2=-0.5V。试写出uo与ui1,ui2之间的运算关系式,并求出输出电压uo

图16-44所示电路中,已知R1=10kΩ,R2=20kΩ,RF=100kΩ,ui1=0.2V,ui

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第7题
电路如题7-9图所示。 (1) 写出Uo与UI1、UI2的运算关系式; (2) 当Rw的滑动端在最上端时,若UI1=10mV,UI2=20mV

电路如题7-9图所示。

(1) 写出Uo与UI1、UI2的运算关系式;

(2) 当Rw的滑动端在最上端时,若UI1=10mV,UI2=20mV,则uO=?

(3) 若uo的最大幅值为±14V,输入电压最大值uI1max=10mV,uI2max=20mV,最小值均为0V,则为了保证集成运放工作在线性区,R2的最大值为多少?

电路如题7-9图所示。  (1) 写出Uo与UI1、UI2的运算关系式;  (2) 当Rw的滑动端在

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第8题
在图所示电路中,已知Us=2V,Is=2A,则输出电功率的是()。在图所示电路中,已知Us=2V,Is=2A,则输出电功率的是()。

A.电压源

B.电流源

C.电压源和电流源

D.电阻

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第9题
在图所示的理想运算放大器组成的电路中,已知电路最大的输出电压为±15V,R2=200kΩ,Rw=5kΩ,R1=100kΩ,U1=2V。求

在图所示的理想运算放大器组成的电路中,已知电路最大的输出电压为±15V,R2=200kΩ,Rw=5kΩ,R1=100kΩ,U1=2V。求在下述三种情况下,UO各为多少伏?

在图所示的理想运算放大器组成的电路中,已知电路最大的输出电压为±15V,R2=200kΩ,Rw=5k

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第10题
在图4-11所示电路中,已知图4-11(a)电路中N沟道JFET的VGS(off)=-2V,IDSS=5mA,图4-11(b)电路中N沟道DMOS管的V

在图4-11所示电路中,已知图4-11(a)电路中N沟道JFET的VGS(off)=-2V,IDSS=5mA,图4-11(b)电路中N沟道DMOS管的VGS(th)=-2V,μnCoxW/(2l)=0.6mA/V2,试计算VGSQ、IDQ、VDSQ

在图4-11所示电路中,已知图4-11(a)电路中N沟道JFET的VGS(off)=-2V,IDSS

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