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[主观题]

放大电路如图题6.9.1所示。设信号源内阻Rs1=0,BJT的型号为2N3904,β=100,电路其他参数:Re⌘

放大电路如图题6.9.1所示。设信号源内阻Rs1=0,BJT的型号为2N3904,β=100,电路其他参数:Re=3.3千欧,Re=1.3千欧,Rb1=33千欧,Rb2=10千欧,RL=5.1千欧,Cb1=Cb2=10μF,Ce=50μF,VCC=12V。试求:集电结电容Cb在1~10pF之间变化时,上限频率fH的变化范围。

放大电路如图题6.9.1所示。设信号源内阻Rs1=0,BJT的型号为2N3904,β=100,电路其

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第1题
电路如图题5.2.6所示,设场效应管的参数为gm1=0.8mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID=0.2mA。试求该

电路如图题5.2.6所示,设场效应管的参数为gm1=0.8mS,λ12=0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID=0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。

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第2题
电路参数如图题5.7.9所示。设FET的参数为gm=0.8mS,rds=200千欧;T2的β=40,rbe=1
千欧。试求该放大电路的电压增益Ae和输入电阻Ri。

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第3题
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V卐
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V卐

电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V-1。场效

应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae

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第4题
放大电路如图题4.3.5(a)所示,已知VCC=12V,BJT的β=20。若要求Av≥100,ICQ=1mA,试确定Rb、Rc的值,并计算VCEQ。设R

放大电路如图题4.3.5(a)所示,已知VCC=12V,BJT的β=20。若要求Av≥100,ICQ=1mA,试确定Rb、Rc的值,并计算VCEQ。设RL=∞。

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第5题
放大电路如图题5.9.1所示。设BJT的型号为2N2222,β=60。Ra=0。试求放大电路的静态工作点,电压
增益和输入电阻。

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第6题
电压放大电路 模型如图题1.4.1(主教材图1.4.2a)所示,设输出开路电压增益Aro=10。试分别计
电压放大电路 模型如图题1.4.1(主教材图1.4.2a)所示,设输出开路电压增益Aro=10。试分别计

算下列条件下的源电压增益Aro=v0/vn

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第7题
放大电路如图题2.4.1(主教材图2.4.1)所示,运放是理想的,电路中R4/R1=R3/R2。(1
放大电路如图题2.4.1(主教材图2.4.1)所示,运放是理想的,电路中R4/R1=R3/R2。(1

)设R1=R2从B、A两端看进去的输入电阻Rid=20千欧,Ae=10,求在vi2-vi1作用下电阻值R1、R2,R3和R4;(2)vi2=0时,求从vi1输入信号端看进去的输入电阻Ri1值;(3)vi1=0时,求从vi2输入端看进去的输入电阻Ri2值。

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第8题
二极管电路如图题3.4.8a所示,设输入电压v1(t)波形如图b所示,在0<t<5 ms的时间间隔内,试
二极管电路如图题3.4.8a所示,设输入电压v1(t)波形如图b所示,在0<t<5 ms的时间间隔内,试

绘出vo(t)的波形。使用恒压降模型(VD=0.7 V),设二极管是理想的。

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第9题
NPN三极管组成的共射电路如图1-5所示。设UBE=0.7V,饱和压降为UCES。试判定三极管处于何种工作状态(放大、饱和、

NPN三极管组成的共射电路如图1-5所示。设UBE=0.7V,饱和压降为UCES

试判定三极管处于何种工作状态(放大、饱和、截止)。

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第10题
电路如图题7.2.3(主教材图7.2.2)所示的源极耦合差分式放大电路中,电流源输出电阻(图中未画出),
电路如图题7.2.3(主教材图7.2.2)所示的源极耦合差分式放大电路中,电流源输出电阻(图中未画出),

电路如图题7.2.3(主教材图7.2.2)所示的源极耦合差分式放大电路中,电流源输出电阻(图中未画出),求单端输出时的

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第11题
共射极放大电路如图3-12所示,设三极管的β=100,rbe=6kΩ,rbb'=100Ω,fT=100MHz,Cμ=4pF。 (1) 估算中频电压放大

共射极放大电路如图3-12所示,设三极管的β=100,rbe=6kΩ,rbb'=100Ω,fT=100MHz,Cμ=4pF。

(1) 估算中频电压放大倍数Ausm

(2) 估算下限频率fL

(3) 估算上限频率fH。

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