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[主观题]

场效应管工作点稳定电路如题2-26图所示。(1)画微变等效电路图;(2)写出Ri、Ro、Au、Aus的表达式;(3)去掉电容Cs时

场效应管工作点稳定电路如题2-26图所示。(1)画微变等效电路图;(2)写出Ri、Ro、Au、Aus的表达式;(3)去掉电容Cs时Au的表达式有何变化?

场效应管工作点稳定电路如题2-26图所示。(1)画微变等效电路图;(2)写出Ri、Ro、Au、Aus

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第1题
双入单出差分放大电路如题6-22图所示。已知UCC=UEE=12V,Rb=5kΩ,Rc=10kΩ,Re=11.3kΩ,RL=10kΩ,rbb'=300Ω,UBE=0.

双入单出差分放大电路如题6-22图所示。已知UCC=UEE=12V,Rb=5kΩ,Rc=10kΩ,Re=11.3kΩ,RL=10kΩ,rbb'=300Ω,UBE=0.7V,β=100。求:(1)静态工作点 Q;(2)差模输入电阻Rid、输出电阻Ro;(3)差模电压放大倍数Aud;(4)共模电压放大倍数Auc;(5)共模抑制比KCMR

双入单出差分放大电路如题6-22图所示。已知UCC=UEE=12V,Rb=5kΩ,Rc=10kΩ,R

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第2题
电路如图题4.4.1a(主教材图4.4.6a)所示。已知Re1=10千欧,Rs1=Rm=0.5千欧,Rg1=
电路如图题4.4.1a(主教材图4.4.6a)所示。已知Re1=10千欧,Rs1=Rm=0.5千欧,Rg1=

165千欧,Rg2=35千欧,VTS=0.8V,Kn=1mA/V2, 场效应管的输出电阻rds=∞(λ=0),电路静态工作点处VGS=1.5V。试求图题4.4.1a所示共源极电路的小信号电压增益Ar=v0/vi、源电压增益Ads=v0/ve、输入电阻Ri和输出电阻R0

电路如图题4.4.1a(主教材图4.4.6a)所示。已知Re1=10千欧,Rs1=Rm=0.5千欧,

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第3题
已知图15-51(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图15-51(b),(c) 所示。(1)利用图解法求解Q点;(

已知图15-51(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图15-51(b),(c) 所示。

(1)利用图解法求解Q点;(2)利用等效电路法求解Au,ri和ro

已知图15-51(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图15-51(b),(c) 所示。

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第4题
电路如题1.12图所示,分别求开关S断开和闭合时A点的电位VA。

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第5题
电路如题3.4.4图所示,求t≥O时,(1)电容电压μc;(2)B点电位VB和A点电位VA的变化规律

电路如题3.4.4图所示,求t≥O时,(1)电容电压μc;(2)B点电位VB和A点电位VA的变化规律。换路前电路处于稳态。[*096 题3.4.4图]

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第6题
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射极偏置电路如题2-15图所示,已知β=60。求(1)Q点;(2)rbe;(3)用小信号模型分析法求电压增益Av;(4)若其他参数不变,如果要使UCEQ=4V,问Rb1应取多大?

射极偏置电路如题2-15图所示,已知β=60。求(1)Q点;(2)rbe;(3);(4)若其他参数不

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第7题
图题9.19所示为场效应管平衡混频器电路。图中,us(t)=Usmcos(ωst),uL(t)=ULmcos(ωLt)。试说明此混频电路的工作

图题9.19所示为场效应管平衡混频器电路。图中,us(t)=Usmcos(ωst),uL(t)=ULmcos(ωLt)。试说明此混频电路的工作过程。分析在此电路的输出电压中是否存在本振频率和输入信号频率的基波分量,并求输出中频电流的表达式。设电路工作在场效应管的平方律区域,其转移特性为图题9.19所示为场效应管平衡混频器电路。图中,us(t)=Usmcos(ωst),uL(t)=UL

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第8题
图4.5.20所示为场效应管平衡混频器电路。 图4.5.20中,vs=Vsmsinωst;v0=V0msinω0t0。试说明

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第9题
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V卐
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电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V-1。场效

应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae

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第10题
在图1.4.13所示的电路中,试判断场效应管分别工作在哪个工作区(饱和区、截止区、变电阻区或恒流状态

在图1.4.13所示的电路中,试判断场效应管分别工作在哪个工作区(饱和区、截止区、变电阻区或恒流状态)?

在图1.4.13所示的电路中,试判断场效应管分别工作在哪个工作区(饱和区、截止区、变电阻区或恒流状态(a)IDSS=3mA,VP=一5V; (b)VTH=3V; (c)IDSS=6mA,VP=-4 V; (d)IDSS=一2mA,VP=一2 V。

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