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[多选题]
关于双芯片上芯产品的上芯控制要求，以下（)说法是正确的。
A.双芯片上芯产品，一次上芯应先加工导电胶粘片的产品
B.一次上芯后，应进行烘烤后，方可进行二次上芯
C.二次上芯产品烘烤后，可以放置在生产现场的货架上，不必要放在氮气柜中
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B.一次上芯后，应进行烘烤后，方可进行二次上芯
C.二次上芯产品烘烤后，可以放置在生产现场的货架上，不必要放在氮气柜中
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A.芯片位置调整错误(角度、方向、位置超出压焊图及质量标准要求)
B.上芯设备调试不当
C.因装片胶中有异物等原因导致芯片不平整(平整度大于1mils)
D.上芯后产品传递不规
A.在产品固化时，产品在进出烘箱前后，对流程卡上框号及实际产品框号要核对一致
B.作业员在加工完一批产品后，检查设备轨道内
C.设备小货架上该批产品全部留走后方可加工下批产品
D.设备加工完的产品已经移动必须在流程卡上填写盒号，每台设备不允许超过二盒产品未填写盒号
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次
B.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
C.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
D.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
A、上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B、在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
C、MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
D、在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
