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[主观题]

由N沟道结型场效应管构成的电路如下图（a)所示，已知场效应管的IDSS=2mA，UGS（off)=－3.5V。试：

由N沟道结型场效应管构成的电路如下图（a)所示，已知场效应管的IDSS=2mA，UGS（off)=－

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第1题

下图所示的电路中，已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA，UGS（off)=－4V，计算ID和UDS的值。

下图所示的电路中，已知N沟道结型场效应管的I_DSS=2mA，U_GS(off)=-4V，计算I_D和U_DS的值。

下图所示的电路中，已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA，UGS（off)=－4V，计算ID和UD

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第2题

结型与MOS管、P沟道与N沟道、耗尽型与增强型场效应管的小信号电路模型是否有区别？

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第3题

由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如下图所示，试画出该电路的交流通路和交流小信号等效电路，推导电压

放大倍数A_u=u_o/u_i、输入电阻R_i和输出电阻R_o的计算公式。

由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如下图所示，试画出该电路的交流通路和交流小信号等效电路，推

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第4题

某场效应晶体管的输出与转移特性曲线如下图所示，试说明该场效应晶体管为______沟道______型场效应管，其开启

电压或夹断电压为______V。

某场效应晶体管的输出与转移特性曲线如下图所示，试说明该场效应晶体管为______沟道______型场

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第5题

已知下图所示的电路中，结型场效应管的IDSS=3mA，UGS（off)=－3V。当RD分别取10kΩ、2kΩ和0等不同阻值时，场效应管

已知下图所示的电路中，结型场效应管的I_DSS=3mA，U_GS(off)=-3V。当R_D分别取10kΩ、2kΩ和0等不同阻值时，场效应管工作在哪个区域(可变电阻区、恒流区、截止区)？

已知下图所示的电路中，结型场效应管的IDSS=3mA，UGS（off)=－3V。当RD分别取10kΩ

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第6题

场效应管的电路符号如下图所示，其中耗尽型NMOS场效应管的电路符号为（)。

场效应管的电路符号如下图所示，其中耗尽型NMOS场效应管的电路符号为( )。

场效应管的电路符号如下图所示，其中耗尽型NMOS场效应管的电路符号为（)。场效应管的电路符号如下图所

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第7题

结型场效应管工作在线性区时，有放大作用。它是用栅£源间的电压控制漏级电流的。由它构成的放大电路（)，并有一定的电压放大倍数。

A.输入电阻很大

B.输入电阻很小

C.输出电阻很大

D.输出电阻很小

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第8题

场效应晶体管根据它的导电沟道可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管二种。（)

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第9题

某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。

某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第10题

某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。

某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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