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题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如下图所示，试画出该电路的交流通路和交流小信号等效电路，推导电压

放大倍数A_u=u_o/u_i、输入电阻R_i和输出电阻R_o的计算公式。

由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如下图所示，试画出该电路的交流通路和交流小信号等效电路，推

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第1题

如图所示为MOS管的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型，说明它的开启电压u_T=

()，如果是耗尽型，说明它的夹断电压u_P=()，其中iD的参考方向为流进漏极。

如图所示为MOS管的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型，说明它的开启电压uT=()，如

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第2题

试用N沟道耗尽型MOS管构成一共漏放大电路并与共集电极放大电路进行比较，在电路性能上有哪些相同的特点。

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第3题

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为（)场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为（)场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型

A.P沟道增强型MOS型

B.P沟道耗尽型MOS型

C.N沟道增强型MOS型

D.N沟道耗尽型MOS型

E.N沟道结型

F.P沟道结型

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第4题

设一n沟增强型管VTH=2V，VGS=6V，源端接地，以下说法正确的是（)。

A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

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第5题

n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（)。

A.此时满足条件

B.沟道夹断点从源端向漏端移动

C.沟道夹断点电压为

D.沟道夹断区为耗尽区

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第6题

P沟道增强型MOS管工作在截止区的条件(),欲使其能放大信号，则应将其设置在()区。

P沟道增强型MOS管工作在截止区的条件（),欲使其能放大信号，则应将其设置在（)区。

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第7题

已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm²/V.s,C_v=3x10^-8F/cm²,W/l=1/1.47,|V≇

已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm²/V.s,

C_v=3x10^-8F/cm²,W/l=1/1.47,|V_A|=200V,V_DS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流I_DQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻r_ds,放大因子μ.(2)当V_DS增加10%时,相应的I_DQ值.(3)画出小信号电路模型.

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第8题

增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时，使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时，使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第9题

某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。

某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第10题

某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。

某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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