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[单选题]
动态RAM的基本存储电路，是利用MOS管栅-源极之间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为了避免所存信息的丢失，必须定时给电容补充电荷，这一操作称为（）。
A.刷新
B.存储
C.充电
D.放电
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下列关于存储器的论述中，正确的是()。
A．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，所以功耗较高
B．常用的EPR，OM采用浮栅雪崩注入型MOS管构成，出厂时存储内容为全“0”
C．SRAM依靠基于MOS管的双稳态电路来存储信息，所以不需要刷新
D．双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高
将微程序存储在RAM中的控制器是()的控制器。
A．动态微程序
B．静态微程序
C．毫微程序
D．水平微程序
利用双稳态触发器作为存储单元的半导体存储器是( )RAM。
A．静态 B．动态 c．PLD中的 D．数字信号处理器(DSP)中的
A.静态RAM(SRAM)集成度低，但存取速度快且无须刷新
B.DRAM的集成度高且成本高，常做Cache用
C.DRAM的存取速度比SRAM快
D.DRAM中存储的数据断电后不会丢失
判断图P3.2所示电路的工作状态。其中RD=10kΩ；RG=10kΩ．750kΩ；A=1(VDD=5V)。设MOS管的开启电压VTN=VTP=2V。
