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[主观题]

试用N沟道耗尽型MOS管构成一共漏放大电路并与共集电极放大电路进行比较，在电路性能上有哪些相同的特点。

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第1题

由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如下图所示，试画出该电路的交流通路和交流小信号等效电路，推导电压

放大倍数A_u=u_o/u_i、输入电阻R_i和输出电阻R_o的计算公式。

由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如下图所示，试画出该电路的交流通路和交流小信号等效电路，推

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第2题

如图所示为MOS管的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型，说明它的开启电压u_T=

()，如果是耗尽型，说明它的夹断电压u_P=()，其中iD的参考方向为流进漏极。

如图所示为MOS管的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型，说明它的开启电压uT=()，如

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第3题

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为（)场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为（)场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型

A.P沟道增强型MOS型

B.P沟道耗尽型MOS型

C.N沟道增强型MOS型

D.N沟道耗尽型MOS型

E.N沟道结型

F.P沟道结型

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第4题

n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（)。

A.此时满足条件

B.沟道夹断点从源端向漏端移动

C.沟道夹断点电压为

D.沟道夹断区为耗尽区

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第5题

结型场效应管可分为（)。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

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第6题

某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。

某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第7题

某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。

某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第8题

结型与MOS管、P沟道与N沟道、耗尽型与增强型场效应管的小信号电路模型是否有区别？

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第9题

如果MOS管进入饱和工作区后，继续增加VDS，则沟道夹断点向___移动，在___将出现耗尽区。

A.漏端，漏端

B.漏端，源端

C.源端，漏端

D.源端，源端

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第10题

耗尽型MOS管工作在放大状态时，其栅压可正可负。（）

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