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[主观题]
一NPN型硅晶体三极管,已知ICBO=5pA,IB=14.5μA,IC=1.45mA,设VBE(on)=0.7V,试求、、IS、ICEO。
一NPN型硅晶体三极管,已知ICBO=5pA,IB=14.5μA,IC=1.45mA,设VBE(on)=0.7V,试求、IS、ICEO。
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一NPN型硅晶体三极管,已知ICBO=5pA,IB=14.5μA,IC=1.45mA,设VBE(on)=0.7V,试求、IS、ICEO。
一NPN型晶体三极管,已知温度为300℃时=150,50℃时=180,试计算在此温度变化范围内,和的相对变化率(相当于30℃)。
图LP2-14(a)所示放大电路中,硅NPN晶体三极管β=100,ICEO≈0,IC=2 mA,VBE(on)=0.7 V。(1)若要求集电极电压VO=(5~7)V,试计算电阻R1的数值范围及R2值。(2)若仅将器件改为硅PNP管,电源电压数值不变,试问晶体管与外电路应如何连接,为保持集电极电压|VO|、电流IC不变,试计算R1、R2值。
若图4.11中已知VCC=20V,RB=500kΩ,RC=5kΩ,晶体管为NPN型硅管,β=50,试求电路的静态工作点。
度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。
A.1脚为e,2脚为b,3脚为c
B.1脚为e,2脚为c,3脚为b
C.1脚为b,2脚为e,3脚为c
温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.
体三极管的|VA|均为100V,|VBE(on)|=0.7V,并设T23的输入电阻为9.1MΩ,IC17=550μA,|VCC|=|VEE|=15V,试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻R1和电压增益Av。
(2)利用上题提供的管子参数,试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻Rid和互导增益Ag。设各管rce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。