电路如题图E6-29所示,结型场效应管JFET的IDSS=2mA,Ucs=-2V。 (1)求静态电流IDQ和静态
电路如题图E6-29所示,结型场效应管JFET的IDSS=2mA,Ucs=-2V。
(1)求静态电流IDQ和静态偏压UCSQ;
(2)画出等效交流电路,并求出ri,r0和Au。
电路如题图E6-29所示,结型场效应管JFET的IDSS=2mA,Ucs=-2V。
(1)求静态电流IDQ和静态偏压UCSQ;
(2)画出等效交流电路,并求出ri,r0和Au。
下图所示的电路中,已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V,计算ID和UDS的值。
已知下图所示的电路中,结型场效应管的IDSS=3mA,UGS(off)=-3V。当RD分别取10kΩ、2kΩ和0等不同阻值时,场效应管工作在哪个区域(可变电阻区、恒流区、截止区)?
耗尽型场效应管组成的恒流源电路如下图所示,RL变化时,iL几乎不变。已知场效应管的IDSS=4mA,UGS(off)=-4V,求
电路如下图所示,场效应管的互导为gm,而rd很大;双极型三极管的电流放大系数为β和输入电阻为rbe。试解答:
(1)T1和T2各自组成的电路属于什么组态?
(2)写出总的电压放大倍数的表达式。
集成运算放大器构成的串联型稳压电路如题图E9-7所示,问:
(1)在该电路中,若测得U1=30V,试求变压器二次电压有效值Uz;
(2)在U1=30V,Uz=6V,R1=2kΩ,R2=1kΩ,R3=1kΩ的条件下,求输出电压U0的调节范围;
(3)在(2)的条件下,若RL的变化范围为100-300Ω,限流电阻R=400Ω,则晶体管T在什么时刻功耗最大?其值是多少?
一个理想采样及恢复系统如题图1-13(a)所示,采样频率为Ωs=8π,采样后经如题图1-13(b)所示的理想低通G(jΩ)还原。现有输入xa(t)=cos2πt+cos5πt,
(1)写出的表达式;
(2)求输出信号ya(t)。