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cos(2πX103t)(mV)，VCC=|VEE|=10V，REE=15kΩ，晶体三极管β很大，VBE(on)可忽略。试用开关函数求iC=(iC1-iC2)值。
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图NP4-10所示为单差分对管电路，图中T1-T3,D1组成差分放大器，T4,T8,D2,T5,D9,T3和T6,T7,D4组成三个电流源电路，若各管β足够大，VBE(on)可忽略，试导出输出电流i的表达式。若v1(t)=V1mcosωct，v2(t)=V2mcosΩt，且V2m< |VEE|，试画出下列两种情况下的输出电流i的波形及其频谱图:(1)V1m很小，处于小信号工作状态;(2)V1m很大，处于开关工作状态。
度调制效应,并设T1管的沟道宽长比(W/l)是T2管的5倍.试问流过电阻R的电流IR值.
=90μA.试求T5、T6、T9各管的沟道宽长比.设器件的
均相同,沟道长度调制效应忽略不计.
图NP5-21所示是双差分对相位鉴频器原理电路，它的相移网络(C1，C，L，R)为高Qc谐振回路，
，当输入信号电压振幅Vsm< 26mV，并取2QeΔfm/fc=0.15时，试导出输出解调电压vo(t)表达式。
在图3-9所示电路中，已知增强型MOSFETI的
，VGS(th)=1.5V，沟道长度调制效应忽略不计，试求IDQ、IGSQ、VDSQ、gm、rds值。
试求：(1)调制信号电压振幅VΩm;(2)输出调频电压振幅Vom;(3)最大频偏Δfm;(4)若R1改为470Ω，电路功能有否变化？
体三极管的|VA|均为100V，|VBE(on)|=0.7V，并设T23的输入电阻为9.1MΩ，IC17=550μA，|VCC|=|VEE|=15V，试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻R1和电压增益Av。
(2)利用上题提供的管子参数，试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻Rid和互导增益Ag。设各管rce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。
在图4-11所示电路中，已知图4-11(a)电路中N沟道JFET的VGS(off)=-2V，IDSS=5mA，图4-11(b)电路中N沟道DMOS管的VGS(th)=-2V，μnCoxW/(2l)=0.6mA/V2，试计算VGSQ、IDQ、VDSQ。
