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[主观题]

设输出特性如图题4.3.1所示的BJT接成图题4.3.2所示的电路，其基极端上接VBB=3.2V与电阻Rb=20kΩ串联，而VCC=6V

设输出特性如图题4.3.1所示的BJT接成图题4.3.2所示的电路，其基极端上接V_BB=3.2V与电阻R_b=20kΩ串联，而V_CC=6V，R_c=200Ω，求电路中的I_BQ、I_CQ和V_CEQ的值。设V_BEQ=0.7V。

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更多“设输出特性如图题4.3.1所示的BJT接成图题4.3.2所示…”相关的问题

第1题

设输出特性如图题5.3.1所示的BJT接入图题5.3.2所示的电路，图中V_CC=15V，R_e=1.5千欧，i

n=20μA，求该器件的Q点。

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第2题

设用输出特性如图题5.3.1所示的BJT 连接成图题5.3.2所示的电路，在基极用V_BB=3.2V和电阻R

b=20千欧，串联以代替电流源i_n，并设V_CC=6V，R_e=200千欧，试求该电路中I_BQ，l_CQ和V_CEQ的值，设V_BEQ=0.7V。

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第3题

若将具有图题5.3.1所示输出特性的BJT接成图题5.3.2的电路，并设V_CC=12V，Re=1千欧，在基板电

路中用V_BB=2.2V和R_b=50千欧，串联以代替电流源i_B。求该电路中的I_BQ，l_CQ和V_CEQ的值，设V_BEQ=0.7V。

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第4题

BJT的输出特性如图题5.3.1所示。求该器件的β值;当i_C=10mA和i_C=20mA时，管子的饱和压降V≇

BJT的输出特性如图题5.3.1所示。求该器件的β值;当i_C=10mA和i_C=20mA时，管子的饱和压降V_CES为多少？

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第5题

电路如图题5.4.7所示，设BJT的β=100V_BEQ=0.7V。试求I_BQ、I_CQ，I_RC，I_L及V_CEQ

。

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第6题

放大电路如图题4.3.5（a)所示，已知VCC=12V，BJT的β=20。若要求Av≥100，ICQ=1mA，试确定Rb、Rc的值，并计算VCEQ。设R

放大电路如图题4.3.5(a)所示，已知V_CC=12V，BJT的β=20。若要求A_v≥100，I_CQ=1mA，试确定R_b、R_c的值，并计算V_CEQ。设R_L=∞。

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第7题

设PNP型硅BJT的电路如图题5.3.6所示。问v_B在什么变化范围内，使T工作在放大区？令β=100。

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第8题

放大电路如图题5.9.1所示。设BJT的型号为2N2222，β=60。R_a=0。试求放大电路的静态工作点，电压

增益和输入电阻。

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第9题

放大电路如图题6.9.1所示。设信号源内阻R_s1=0，BJT的型号为2N3904，β=100，电路其他参数：R_e⌘

放大电路如图题6.9.1所示。设信号源内阻R_s1=0，BJT的型号为2N3904，β=100，电路其他参数：R_e=3.3千欧，R_e=1.3千欧，R_b1=33千欧，R_b2=10千欧，R_L=5.1千欧，C_b1=C_b2=10μF，C_e=50μ_F，V_CC=12V。试求：集电结电容C_b在1~10p_F之间变化时，上限频率fH的变化范围。

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第10题

电路如图题5.7.5所示，设FET的互导为g_m，r_dn很大;B_JT的电流放大系数为β，输入电阻为r

_br。(1)画出该电路的小信号等效电路;(2)说明T₁，T₂各组成什么组态;(3)求该电路的电压增益A_P，输入电阻R_i及输出电阻R₀的表达式。

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第11题

电路如图题6.9.2所示。设BIT的型号为2222，V_CC=5V，C_b1=1μ_F，R_b=1，R_e=3.3千欧

，R_si=0及β=210。去掉C_b2和R_L，负载电容C_L=4p_F，直接接到BJT的集电极。当输入电压信号v_n为-5mV~ +5mV的正负方波，其周期分别为100ms和0.1ms，求v₀的波形。

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