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说明场效应晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出：(1)N沟道绝缘栅增强型；(2)N沟道绝缘栅耗尽型；(3)P沟道绝缘栅增强型；(4)P沟道绝缘栅耗尽型四种场效晶体管的转移特性曲线，并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们的正负。耗尽型和增强型区别在哪里？
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说明场效晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出：(1)N沟道绝缘栅增强型；(2)N沟道绝缘栅耗尽型；(3)P沟道绝缘栅增强型；(4)P沟道绝缘栅耗尽型四种场效应晶体管的转移特性曲线，并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们的正负。耗尽型和增强型区别在哪里？
下图a、b所示为MOSFET的转移特性。请分别说明它们属于何种沟道。若是增强型，其开启电压UGS(th)为多少？若是耗尽型，其夹断电压UGS(off)为多少？(图中iD的正方向假定为流进漏极)。
已知放大电路中，3个MOS管的3个电极的电位如下表所示，其开启电压(夹断电压)也在表中。分析这3个管子的类型及其工作状态。
| MOS管 | UGS(th)或UGS(off) | UG/V | US/V | UD/V | 管 型 | 工作状态 |
| V1 | -4 | 0 | 5 | -5 | ||
| V2 | 4 | 3 | -2 | -1.5 | ||
| V3 | -3 | 0 | 0 | 10 |
在下图所示放大电路中，已知UDD=20V，RD=10kΩ，RG1=200kΩ，RG2=51kΩ，RG=1MΩ，RS=10kΩ，在输出端接一负载电阻RL=10kΩ场效应晶体管为N沟道耗尽型，其参数，IDSS=0.9m，UGS(off)2=-4V，gm=1.5mA/V，试求静态作点及电压放大倍数
下图a所示的电路中，已知UGS=-2V，场效应管的IDSS=2mA，UGS(off)=-4V。
耗尽型场效应管组成的恒流源电路如下图所示，RL变化时，iL几乎不变。已知场效应管的IDSS=4mA，UGS(off)=-4V，求
如下图所示的差动放大电路，场效应管V1、V2特性相同，IDSS=1mA，UGS(off)=-2V，晶体管的UBE=0.7V，求：
下图所示的电路中，已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA，UGS(off)=-4V，计算ID和UDS的值。
