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说明场效应晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出：(1)N沟道绝缘栅增强型；(2)N沟道绝缘栅耗尽型；(3)P沟道绝缘栅增强型；(4)P沟道绝缘栅耗尽型四种场效晶体管的转移特性曲线，并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们的正负。耗尽型和增强型区别在哪里？
说明场效晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出：(1)N沟道绝缘栅增强型；(2)N沟道绝缘栅耗尽型；(3)P沟道绝缘栅增强型；(4)P沟道绝缘栅耗尽型四种场效应晶体管的转移特性曲线，并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们的正负。耗尽型和增强型区别在哪里？
已知放大电路中，3个MOS管的3个电极的电位如下表所示，其开启电压(夹断电压)也在表中。分析这3个管子的类型及其工作状态。
| MOS管 | UGS(th)或UGS(off) | UG/V | US/V | UD/V | 管 型 | 工作状态 |
| V1 | -4 | 0 | 5 | -5 | ||
| V2 | 4 | 3 | -2 | -1.5 | ||
| V3 | -3 | 0 | 0 | 10 |
下图a、b所示为MOSFET的转移特性。请分别说明它们属于何种沟道。若是增强型，其开启电压UGS(th)为多少？若是耗尽型，其夹断电压UGS(off)为多少？(图中iD的正方向假定为流进漏极)。
采用分压偏置的增强型NMOS管共源放大电路，已知UDD=24V，RG1=200kΩ，RG2=56kΩ，RD=30kΩ， RS=10kΩ，静态栅源电压UGS=3.25V。求静态时的ID和UDS。
(1)若地址译码器的输入A2A1A0取值为000、001、010、…、111时，其相应的输出Y0、Y1、Y2、…、Y7为高电平。试问输入A2A1A为010、011、101时，ROM相应的输出状态是什么？ (2)若已知ROM的输出为10110011，试问地址译码器的输入A2A1A0应该是什么状态？
