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[主观题]
场效应管输出特性曲线如图LT3-1所示,试判断场效应管的类型,画出相应器件符号,确定VGS(th),并在图
场效应管输出特性曲线如图LT3-1所示,试判断场效应管的类型,画出相应器件符号,确定VGS(th),并在图上画出饱和区与非饱和区的分界线。
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场效应管输出特性曲线如图LT3-1所示,试判断场效应管的类型,画出相应器件符号,确定VGS(th),并在图上画出饱和区与非饱和区的分界线。
各种类型场效应管的输出特性曲线如图LT3-2(a)、(b)、(c)所示,试分别指出各FET管的类型、符号、VGS(th)或VGS(off),并画出|VDS|=5 V时相应的转移特性曲线。
已知图15-51(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图15-51(b),(c) 所示。
(1)利用图解法求解Q点;(2)利用等效电路法求解Au,ri和ro。
下图(a)所示电路中,三极管输出特性曲线如图P2.11(b)所示,令UBEQ=0,若RB分别为300kΩ、150kΩ,试用图解法求电路中IC、UCE。
在如图7-2所示的放大电路中,已知VCC=12V,RB=240kΩ,RC=3kΩ,三极管
在图2.3(a)电路中,已知:UCC=24V,RB=800kΩ,RC=6kΩ, RL=3kΩ,三极管的输出特性曲线如图2.3(b)所示。试用图解法和估算法求静态工作点(IB,IC,UCE)。
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。
A.P沟道增强型MOS型
B.P沟道耗尽型MOS型
C.N沟道增强型MOS型
D.N沟道耗尽型MOS型
E.N沟道结型
F.P沟道结型