题目内容
（请给出正确答案）
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。
A.P沟道增强型MOS型
B.P沟道耗尽型MOS型
C.N沟道增强型MOS型
D.N沟道耗尽型MOS型
E.N沟道结型
F.P沟道结型
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一个JFET的转移特性曲线如图题4.8.3所示，试问：
(1) 它是N沟道还是P沟道的FET？
(2) 它的夹断电压Vp和饱和漏极电流IDSS各是多少？
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，分别画出uDS=3V、6V、9V时的转移特性曲线。
各种类型场效应管的输出特性曲线如图LT3-2(a)、(b)、(c)所示，试分别指出各FET管的类型、符号、VGS(th)或VGS(off)，并画出|VDS|=5 V时相应的转移特性曲线。
图4．5．17所示为一个场效应管混频器。场效应管的转移特性为
式中，ID为漏极电流；IDSS是栅压为零时的漏极电流；VP为夹断电压；VGS为栅源 电压。 设直流偏置电压为VGS0；信号电压为vs=Vssinωst；本振电压v0=V0sinω0t。 试证明： 1)此混频器能完成混频作用；
场效应管输出特性曲线如图LT3-1所示，试判断场效应管的类型，画出相应器件符号，确定VGS(th)，并在图上画出饱和区与非饱和区的分界线。
已知FET的特性曲线如下图所示，试判断它是哪一类场效应管？开启电压VTH或夹断电压VP约为多少？饱和电流IDSS约为多少？
