两级放大电路如下图所示,已知三极管均为硅管,|UBE(on)|=0.7V,β=100,rbb'=200Ω。
硅管放大电路如下图所示,三极管的β=100,试求:
(1)静态工作点;
(2)电压放大倍数和;
(3)放大电路的输入电阻Ri;
(4)输出电阻Ro1和Ro2。
硅管放大电路如下图所示,试解答:
(1)求出静态工作点ICQ和UCEQ;
(2)画出微变等效电路,并求出放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro;
(3)计算电压放大倍数。
放大电路如下图所示,晶体管为PNP锗管,β=45,试求:
(1)静态工作点ICQ和UCEQ;
(2)放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro;
(3)电压放大倍数。
对放大电路中的晶体管进行测量,测得各电极电位如下图所示。试分别判断晶体管的类型(是NPN管还是PNP管、是硅管还是锗管),并区分电极E、B、C。
差分放大电路如下图所示,已知三极管的β=100,rbb'=200Ω,UBEQ=0.7V,求:每管的静态电流ICQ1、ICQ2,单端输出时Aud(单)、Auc(单)及共模抑制比KCMR。
电流源电路如下图所示,VDD=+5V,-VSS=-5V,T1~T5为特性相同的NMOS管,VT=2V,KN2=KN3=KN4=KN5=0.25mA/V2,KN1=0.10mA/V2,λ=0,求IREF和I。
电路如下图所示,NMOS管的参数为:VT=1V,KN=50μA/V2,λ=0,PMOS管的参数为:VT=-1V,KP=25μA/V2,λ=0,设全部管子均工作于饱和区,试求R、I3和I4的值。各管的W/L值
双端输入、双端输出的差动放大电路如下图所示,晶体管β=50,rbe=3kΩ,其他参数标在图中,试解答:
(1)求静态管压降UCEQ;
(2)当uid=10mV时,输出电压uo为何值?
放大电路如下图所示,已知晶体管为硅管、β=60,所有电容对交流短路。试计算静态工作点电流ICQ、电压增益Av、源电压增益Avs、输入电阻Ri和输出电阻Ro的值。